[发明专利]包含非晶区和电子抑制区的图像传感器及其制造方法

说明书

提供了图像传感器及其制造方法。图像传感器包括含有多个像素区域的衬底。所述衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。所述图像传感器包括从衬底的第二表面向衬底的第一表面延伸并将所述多个像素区域彼此分离的深像素隔离区。所述图像传感器包括邻近所述深像素隔离区的侧壁的非晶区。而且，所述图像传感器包括在所述非晶区与所述深像素隔离区的侧壁之间的电子抑制区。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年10月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0120034的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本公开涉及一种图像传感器。

背景技术

图像传感器将光学图像转换为电信号。图像传感器可以分为电荷耦合器件(CCD)型或互补金属氧化物半导体(CMOS)型。术语“CIS”是CMOS型图像传感器(CMOS type ImageSensor)的缩写。CIS可以包含多个二维排列的像素。每个像素包括光电二极管(PD)。光电二极管用于将入射光转换为电信号。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了一种能够抑制暗电流的图像传感器。

本发明构思的一些示例实施例提供了一种能够改善感光性的图像传感器的制造方法。

根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器可以包括：包括多个像素区域的衬底。所述衬底可以包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。所述图像传感器可以包括在衬底的第一表面上的传输栅极。所述图像传感器包括从衬底的第二表面向衬底的第一表面延伸并将多个像素区域彼此分离的深像素隔离区。所述图像传感器可以包括邻近深像素隔离区的侧壁的非晶区。而且，所述图像传感器可以包括位于所述非晶区与所述深像素隔离区的侧壁之间的电子抑制区。所述电子抑制区可以包括硼离子。

根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器可以包括：包括多个像素区域的衬底。所述衬底可以具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。所述图像传感器可以包括在衬底中邻近第一表面的浅器件隔离区。所述图像传感器可以包括从第二表面向第一表面延伸并将所述多个像素区域彼此分离的深像素隔离区。所述深像素隔离区可以与浅器件隔离区接触。所述图像传感器可以包括分别邻近所述深像素隔离区的侧壁和所述浅器件隔离区的侧壁的非晶区。而且，所述图像传感器可以包括位于所述非晶区与所述深像素隔离区的侧壁和所述浅器件隔离区的侧壁之间的电子抑制区。

根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器可以包括：包括多个像素区域的衬底。所述衬底可以具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。所述图像传感器可以包括在衬底中邻近第一表面的器件隔离区。所述图像传感器可以包括从第二表面向第一表面延伸并将所述多个像素区域彼此分离的深像素隔离区。所述图像传感器可以包括邻近所述深像素隔离区的侧壁的非晶区。而且，所述图像传感器可以包括位于所述非晶区与所述深像素隔离区的侧壁之间的电子抑制区。所述器件隔离区的一部分可以包括碳离子、锗离子、或碳离子和锗离子二者。

根据本发明构思的一些示例实施例的一种制造图像传感器的方法，可以包括：刻蚀衬底以形成将多个像素区域彼此分离的多个深像素沟槽。所述方法可以包括：执行第一等离子掺杂处理，来用碳离子、锗离子、或者碳离子和锗离子两者掺杂衬底，从而形成在衬底中邻近所述多个深像素沟槽的侧壁及底表面第一非晶区。所述方法可以包括：执行第二等离子掺杂处理，来用硼离子掺杂衬底，从而形成在衬底中邻近所述多个深像素沟槽的侧壁及底表面的第一电荷抑制区。所述方法可以包括：进行退火过程。而且，所述方法可以包括：在所述多个深像素沟槽中形成多个深像素隔离区。

附图说明

图1示出了展示根据本发明构思的一些示例实施例的图像传感器的平面图。

图2示出了沿图1中的线I-I'截取的剖面图。