[发明专利]包含非晶区和电子抑制区的图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

衬底，其包括多个像素区域，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

在所述衬底的第一表面上的传输栅极；

深像素隔离区，其从所述衬底的第二表面向所述衬底的第一表面延伸，并将所述多个像素区域彼此分离；

非晶区，其邻近所述深像素隔离区的侧壁；以及

电子抑制区，其在所述非晶区与所述深像素隔离区的侧壁之间，

其中，所述电子抑制区包括硼离子。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述衬底中的光电转换区，

其中，所述光电转换区在第一方向上与所述非晶区分隔开，并且

其中，所述非晶区在与所述第一方向相交的第二方向上长于所述光电转换区。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述衬底中邻近所述第一表面的浅器件隔离区，

其中，所述非晶区与所述电子抑制区延伸邻近所述浅器件隔离区的底表面。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，

其中，所述非晶区与所述电子抑制区分别包括第一非晶区与第一电子抑制区，并且

其中，所述图像传感器还包括：

第二非晶区，其邻近所述浅器件隔离区的侧壁；以及

第二电子抑制区，其位于所述第二非晶区与所述浅器件隔离区的侧壁之间。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述衬底中在所述传输栅极的一侧的浮置扩散区，

其中，所述浮置扩散区的一部分包括碳离子、锗离子、或碳离子和锗离子两者。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，

其中，所述深像素隔离区与所述第一表面分隔开，并且

其中，所述图像传感器还包括位于所述深像素隔离区与所述第一表面之间的器件隔离区，

其中，所述非晶区和所述电子抑制区在所述深像素隔离区与所述器件隔离区之间延伸。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，

其中，所述深像素隔离区与所述第一表面分隔开，并且

其中，所述图像传感器还包括位于所述深像素隔离区与所述第一表面之间的器件隔离区，

其中，所述器件隔离区的一部分包括碳离子、锗离子、或碳离子和锗离子两者。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，

其中，所述深像素隔离区与所述第一表面分隔开，并且

其中，所述像素传感器还包括：

在所述衬底中位于所述多个像素区域之间的浮置扩散区，所述浮置扩散区邻近所述第一表面；以及

在所述浮置扩散区与所述深像素隔离区之间的器件隔离区，

其中，所述器件隔离区的一部分包括碳离子、锗离子、或碳离子和锗离子两者。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述深像素隔离区包括与所述电子抑制区接触的固定电荷层。

10.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括浅器件隔离区，其在所述衬底中邻近所述第一表面，

其中，所述深像素隔离区穿透所述浅器件隔离区。

11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述深像素隔离区包括：

与所述电子抑制区接触的介电层；以及

与所述电子抑制区分隔开的导电图案。

12.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述电子抑制区包括碳离子、锗离子、或碳离子和锗离子两者。

13.根据权利要求1所述的图像传感器，

其中，所述衬底包括硼离子，并且

其中，在所述电子抑制区中的硼离子的第一浓度高于在所述衬底中的硼离子的第二浓度。