[发明专利]一种用于管式PECVD设备的石墨舟电极对接装置在审
申请号: | 201910890666.1 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN110565075A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 王玉明;程海良;闫宝洁;曾俞衡;陈晖;谢利华;李旺鹏 | 申请(专利权)人: | 苏州拓升智能装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;H01L21/673 |
代理公司: | 11369 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 韩飞 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固定组件 接电 石墨舟 真空反应炉 转接组件 电极 电极杆 炉盖 电极对接装置 刚性导电材料 刚性绝缘材料 电极杆两端 不良问题 电极接触 工艺周期 接触方式 陶瓷支撑 轴线方向 电极头 接触区 绝缘膜 原有的 镀膜 管式 直状 沉积 穿过 延伸 | ||
本发明公开了一种用于管式PECVD设备的石墨舟电极对接装置,包括:长直状的电极杆,其由刚性导电材料制成;以及分别连接于所述电极杆两端的接电固定组件及电极头,其中,所述接电固定组件由刚性绝缘材料制成,所述接电固定组件安装于炉盖的外侧,从所述接电固定组件引出的电极杆穿过所述炉盖后沿着所述真空反应炉的轴线方向延伸至所述真空反应炉的内部。根据本发明,其相比原有的通过石墨舟角与陶瓷支撑杆上电极转接组件接触方式,可避免多个工艺周期后镀膜(绝缘膜)沉积于石墨舟角、电极转接组件接触区导致电极接触不良问题。
技术领域
本发明涉及太阳能电池沉积镀膜领域,特别涉及一种用于管式PECVD设备的石墨舟电极对接装置。
背景技术
据测算,光在太阳能电池表面的反射损失率高达35%左右,在太阳能电池沉积镀膜领域中,通常采用管式PECVD设备用于在太阳能电池的表面沉积以镀上氧化硅减反膜,减反膜可以极高地提高电池片对太阳光的利用率,有助于提高光生电流密度,进而提高转换效率,同时薄膜中的氢对于电池片表面的钝化降低了发射结的表面复合速率,减小了暗电流,提升了开路电压,提高了光电转换效率以减少太阳光的反射,增加电池对太阳光线的吸收率。
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)即等离子增强化学气相沉积,具体的原理是利用射频电源放电来激发气体辉光放电形成等离子体,在电磁场的作用下,促进工艺气体分子的分解、化合、激发和电离,加速了反应活性基团的生成,降低薄膜沉积温度,从而实现镀膜功能。具体地,将待镀膜的电池片放入石墨舟的相邻两片电极片之间,相邻两片电极片间通过绝缘陶瓷隔套进行隔断与支持,将射频电源的正负两个电机的电极杆插入石墨舟对应位置的两个电极孔,使得石墨舟上相邻两个电极片间可以形成电场,从而实现放电。
PECVD镀膜前需要完成的准备工作具体操作流程是:推着载有电池片的石墨舟进入真空反应炉中,引导电极杆插入至石墨舟电极引入孔中以实现电极杆与石墨舟的电连接,之后石墨舟会落于绝缘支撑架上,将真空反应炉进行封闭并抽真空,至此完成PECVD镀膜前的准备工作。
在研究和提升PECVD法沉积镀膜质量的过程中,发明人发现现有技术中的电极杆至少存在如下问题:
现有的石墨舟接电方式为,将石墨舟与绝缘支撑架上的电极转接组件相导通,在多个镀膜工艺周期后镀膜层(绝缘膜)亦会沉积于石墨舟角与电极转接组件接触区,造成电接触不良甚至电连接出现断路等问题,最终造成PECVD镀膜失败。
有鉴于此,实有必要开发一种用于管式PECVD设备的石墨舟电极对接装置,用以解决上述问题。
发明内容
针对现有技术中存在的不足之处,本发明的主要目的是,提供一种用于管式PECVD设备的石墨舟电极对接装置,相比原有的通过石墨舟角与陶瓷支撑杆上电极转接组件接触方式,可避免多个工艺周期后镀膜(绝缘膜)沉积于石墨舟角、电极转接组件接触区导致电极接触不良问题。
为了实现根据本发明的上述目的和其他优点,提供了一种用于管式PECVD设备的石墨舟电极对接装置,所述管式PECVD设备包括:
管状的真空反应炉,其内部中空并且两端敞开形成左敞口及右敞口;
两个炉盖,分别连接到所述真空反应炉的端部以对所述左敞口及右敞口进行封闭;以及
绝缘支撑架,其固定安装于所述真空反应炉内,用于承托石墨舟,
所述石墨舟电极对接装置包括:
长直状的电极杆,其由刚性导电材料制成;以及
分别连接于所述电极杆两端的接电固定组件及电极头,
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的