[发明专利]一种半导体器件的制作方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201910832790.2 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112447845B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 梁旦业;汪广羊 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，所述半导体器件为GGNMOS器件，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；
执行轻掺杂源漏离子注入工艺，以在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成轻掺杂源漏区；
执行袋区离子注入工艺，以在所述轻掺杂源漏区底部形成袋型离子注入区；
执行源漏离子注入工艺，以在所述栅极两侧的所述半导体衬底中形成源漏区，其中，所述轻掺杂源漏区、所述袋型离子注入区和所述源漏区共同构成在所述栅极结构下方具有倾斜的形貌的源漏极，所述源漏极的表面电阻大，底部电阻小，在静电放电过程中，漏极底部的电流路径小于表面电流路径。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述源漏离子注入工艺为垂直离子注入。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述执行袋区离子注入工艺之后所述执行源漏离子注入工艺之前，还包括在所述栅极结构两侧形成间隙壁的结构。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述轻掺杂源漏离子注入工艺注入的能量范围为45-60KeV，注入的剂量范围为1-2E13cm-3。
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述袋区离子注入工艺为倾斜离子注入。
6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述袋区离子注入工艺注入的能量范围为45-60KeV，注入的剂量范围为3-5E12cm-3。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述轻掺杂源漏离子注入工艺和所述袋区离子注入工艺在同一图案化的掩膜下进行离子注入。
8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底为P型半导体衬底。
9.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1所述的制作方法制作。
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