[发明专利]显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201910831105.4 | 申请日: | 2019-09-04 |
公开(公告)号: | CN110534532B | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 刘少伟;塗俊达;林富良;何子维;李曼曼 | 申请(专利权)人: | 友达光电(昆山)有限公司;友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基板;
形成一第一遮光层于所述基板,且图案化所述第一遮光层,以形成一第一图案化遮光层;
设置一缓冲层于所述基板,且所述缓冲层覆盖所述第一图案化遮光层;
形成一半导体层于所述缓冲层,且图案化所述半导体层,以形成一图案化半导体层;
设置一第一绝缘层于所述基板,且所述第一绝缘层覆盖所述图案化半导体层;
设置一第一金属层于所述第一绝缘层,且图案化所述第一金属层,以形成一第一图案化金属层;
以所述第一图案化金属层为掩模而进行一第一离子浓度注入,形成一轻掺杂区与一沟道区于所述图案化半导体层;
设置一遮光材料层于所述第一图案化金属层上,且图案化所述遮光材料层以形成一图案化遮光材料层;以及
以所述图案化遮光材料层为掩模而进行一第二离子浓度注入,形成一重掺杂区于所述图案化半导体层;其中
图案化所述遮光材料层与图案化所述第一遮光层采用相同的光罩。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述遮光材料层为遮光金属层。
3.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述遮光材料层为光阻层。
4.根据权利要求3所述的制造方法,其特征在于,在所述第一离子浓度注入步骤之前进行所述第二离子浓度注入步骤。
5.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,在所述第二离子浓度注入步骤之后,移除所述光阻层。
6.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一离子浓度注入步骤之后及设置所述遮光材料层之前,还包括设置一第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第一图案化金属层。
7.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一图案化金属层与所述图案化遮光材料层在垂直投影方向上具有重叠区域。
8.根据权利要求7所述的制造方法,其特征在于,所述第一图案化金属层在垂直投影方向上的区域较所述图案化遮光材料层在垂直投影方向上的区域小。
9.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述图案化遮光材料层与所述第一图案化遮光层在垂直投影方向上的区域重叠。
10.根据权利要求9所述的制造方法,其特征在于,所述图案化遮光材料层在垂直投影方向上的区域较所述第一图案化遮光层在垂直投影方向上的区域小。
11.一种显示面板,具有多个薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:
一基板;
一第一图案化遮光层,设置于所述基板;
一缓冲层,覆盖所述第一图案化遮光层;
一半导体层,设置于所述缓冲层上方,使得所述缓冲层位于所述半导体层与所述第一图案化遮光层之间,且所述半导体层具有一第一重掺杂区、一第一轻掺杂区、一第二重掺杂区、一第二轻掺杂区与一沟道区,所述沟道区位于所述第一轻掺杂区与所述第二轻掺杂区之间,且所述第一轻掺杂区分别邻近于所述第一重掺杂区与所述沟道区,所述第二轻掺杂区分别邻近于所述第二重掺杂区与所述沟道区;
一第一绝缘层,设置于所述半导体层上方;
一第一图案化金属层,设置于所述第一绝缘层上方,且所述第一图案化金属层与所述沟道区在所述基板的垂直投影面积彼此重叠;以及
一第二图案化遮光层,设置于所述第一图案化金属层上方,
其中,所述第二图案化遮光层于所述基板的投影面积的部分外轮廓与所述第一轻掺杂区邻接于所述第一重掺杂区的交界处对齐;
其中,所述第二图案化遮光层于所述基板的投影面积的另一部分外轮廓与所述第二轻掺杂区邻接于所述第二重掺杂区的交界处对齐;其中
所述第一图案化遮光层与所述第二图案化遮光层采用相同的光罩形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的