[发明专利]显示面板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201910831105.4 申请日: 2019-09-04
公开(公告)号: CN110534532B 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 刘少伟;塗俊达;林富良;何子维;李曼曼 申请(专利权)人: 友达光电(昆山)有限公司;友达光电股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786
代理公司: 北京市立康律师事务所 11805 代理人: 梁挥;孟超
地址: 215300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示 面板 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供一基板;

形成一第一遮光层于所述基板,且图案化所述第一遮光层,以形成一第一图案化遮光层;

设置一缓冲层于所述基板,且所述缓冲层覆盖所述第一图案化遮光层;

形成一半导体层于所述缓冲层,且图案化所述半导体层,以形成一图案化半导体层;

设置一第一绝缘层于所述基板,且所述第一绝缘层覆盖所述图案化半导体层;

设置一第一金属层于所述第一绝缘层,且图案化所述第一金属层,以形成一第一图案化金属层;

以所述第一图案化金属层为掩模而进行一第一离子浓度注入,形成一轻掺杂区与一沟道区于所述图案化半导体层;

设置一遮光材料层于所述第一图案化金属层上,且图案化所述遮光材料层以形成一图案化遮光材料层;以及

以所述图案化遮光材料层为掩模而进行一第二离子浓度注入,形成一重掺杂区于所述图案化半导体层;其中

图案化所述遮光材料层与图案化所述第一遮光层采用相同的光罩。

2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述遮光材料层为遮光金属层。

3.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述遮光材料层为光阻层。

4.根据权利要求3所述的制造方法,其特征在于,在所述第一离子浓度注入步骤之前进行所述第二离子浓度注入步骤。

5.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,在所述第二离子浓度注入步骤之后,移除所述光阻层。

6.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一离子浓度注入步骤之后及设置所述遮光材料层之前,还包括设置一第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第一图案化金属层。

7.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一图案化金属层与所述图案化遮光材料层在垂直投影方向上具有重叠区域。

8.根据权利要求7所述的制造方法,其特征在于,所述第一图案化金属层在垂直投影方向上的区域较所述图案化遮光材料层在垂直投影方向上的区域小。

9.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述图案化遮光材料层与所述第一图案化遮光层在垂直投影方向上的区域重叠。

10.根据权利要求9所述的制造方法,其特征在于,所述图案化遮光材料层在垂直投影方向上的区域较所述第一图案化遮光层在垂直投影方向上的区域小。

11.一种显示面板,具有多个薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:

一基板;

一第一图案化遮光层,设置于所述基板;

一缓冲层,覆盖所述第一图案化遮光层;

一半导体层,设置于所述缓冲层上方,使得所述缓冲层位于所述半导体层与所述第一图案化遮光层之间,且所述半导体层具有一第一重掺杂区、一第一轻掺杂区、一第二重掺杂区、一第二轻掺杂区与一沟道区,所述沟道区位于所述第一轻掺杂区与所述第二轻掺杂区之间,且所述第一轻掺杂区分别邻近于所述第一重掺杂区与所述沟道区,所述第二轻掺杂区分别邻近于所述第二重掺杂区与所述沟道区;

一第一绝缘层,设置于所述半导体层上方;

一第一图案化金属层,设置于所述第一绝缘层上方,且所述第一图案化金属层与所述沟道区在所述基板的垂直投影面积彼此重叠;以及

一第二图案化遮光层,设置于所述第一图案化金属层上方,

其中,所述第二图案化遮光层于所述基板的投影面积的部分外轮廓与所述第一轻掺杂区邻接于所述第一重掺杂区的交界处对齐;

其中,所述第二图案化遮光层于所述基板的投影面积的另一部分外轮廓与所述第二轻掺杂区邻接于所述第二重掺杂区的交界处对齐;其中

所述第一图案化遮光层与所述第二图案化遮光层采用相同的光罩形成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电(昆山)有限公司;友达光电股份有限公司,未经友达光电(昆山)有限公司;友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910831105.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top