[发明专利]一种驱动背板及其制备方法、显示面板在审
申请号: | 201910818004.3 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN110534531A | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 黄鹏;高涛;詹裕程;贵炳强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 11274 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申健<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 驱动背板 底栅型薄膜晶体管 顶栅型薄膜晶体管 驱动电路 依次设置 栅绝缘层 源层 绝缘层隔离 显示面板 亚像素区 制备过程 通过层 掩膜板 制备 | ||
本发明提供了一种驱动背板及其制备方法、显示面板,涉及显示技术,能够降低驱动背板在制备过程中掩膜板的使用数量,降低生产成本。其中,驱动背板包括衬底、设置于衬底上每个亚像素区的驱动电路;驱动电路包括顶栅型薄膜晶体管和底栅型薄膜晶体管。顶栅型薄膜晶体管包括依次设置于衬底上的第一有源层,第一栅绝缘层和第一栅极,底栅型薄膜晶体管包括依次设置于衬底上的第二栅极、第二栅绝缘层和第二有源层;相对第二栅极,第一栅极更靠近衬底,且第一栅极和第二栅极通过层间绝缘层隔离。
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管技术领域,尤其涉及一种驱动背板及其制备方法、显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展,显示面板的种类越来越多,目前应用最多的为液晶显示面板和OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板。由于OLED显示面板具有响应速度快、显示亮度高和可折叠等优点,其应用范围越来越广。
发明内容
本发明的实施例提供了一种驱动背板及其制备方法、显示面板,能够减少显示面板生产过程中掩膜板的使用数量,降低生产成本,提高生产效率。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供一种驱动背板,包括衬底、设置于所述衬底上每个亚像素区的驱动电路;所述驱动电路包括顶栅型薄膜晶体管和底栅型薄膜晶体管。
所述顶栅型薄膜晶体管包括依次设置于所述衬底上的第一有源层,第一栅绝缘层和第一栅极,所述底栅型薄膜晶体管包括依次设置于所述衬底上的第二栅极、第二栅绝缘层和第二有源层;相对所述第二栅极,所述第一栅极更靠近所述衬底,且所述第一栅极和所述第二栅极通过层间绝缘层隔离。
可选的,所述第一有源层的材质为多晶硅,所述第二有源层的材质为氧化物半导体。
可选的,所述顶栅型薄膜晶体管还包括第一源极和第一漏极;所述第一源极和第一漏极与所述第二栅极同层同材料。
可选的,所述驱动电路还包括第一连接电极,所述顶栅型薄膜晶体管和底栅型薄膜晶体管通过所述第一连接电极电连接。
可选的,所述底栅型薄膜晶体管还包括第二源极和第二漏极;所述第一连接电极与所述第二源极、所述第二漏极同层同材料。
可选的,所述层间绝缘层包括依次层叠设置于所述衬底上的第一层间绝缘子层和第二层间绝缘子层,所述第一层间绝缘子层位于所述衬底与所述第二层间绝缘子层之间,所述第一层间绝缘子层的材质为氮化硅或氮氧化硅,所述第二层间绝缘子层的材质为氧化硅。
可选的,所述第二层间绝缘子层和所述第二栅绝缘层的厚度之和大于等于所述第一层间绝缘层子层的厚度的3倍。
可选的,所述衬底为柔性衬底。
另一方面,提供一种显示面板,包括上述的驱动背板、以及设置于每个亚像素区的发光器件。
所述发光器件包括相对设置的第一电极和第二电极,所述第一电极设置于所述第二电极与所述驱动背板之间,所述第一电极与所述驱动背板上的驱动电路电连接。
可选的,所述第一电极与作为驱动薄膜晶体管的一个顶栅型薄膜晶体管中的第一漏极相连。
又一方面,提供一种驱动背板的制备方法,所述驱动背板包括衬底、位于所述衬底上每个亚像素区的驱动电路;所述驱动电路包括顶栅型薄膜晶体管和底栅型薄膜晶体管。
所述驱动背板的制备方法,包括:
在衬底一侧依次形成构成所述顶栅型薄膜晶体管的第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的