[发明专利]抛光组合物及其使用方法在审
| 申请号: | 201910812821.8 | 申请日: | 2019-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN111334194A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
| 发明(设计)人: | E·特纳;A·米什拉;C·巴列斯特罗斯 | 申请(专利权)人: | 富士胶片电子材料美国有限公司 |
| 主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;H01L21/3105 |
| 代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 韩果 |
| 地址: | 美国罗*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 抛光 组合 及其 使用方法 | ||
1.一种抛光组合物,包含:
至少一种磨料;
至少一种氮化物去除率降低剂,包含:
含有C12至C40烃基团的疏水部分;和
含有至少一种基团的亲水部分,所述至少一种基团选自于由亚磺酸基、硫酸基、磺酸基、羧基、磷酸基团和膦酸基团组成的组;以及
其中,所述疏水部分和所述亲水部分被0至10个环氧烷基团分开;
酸或碱;以及
水;
其中,所述抛光组合物具有约2至约6.5的pH。
2.如权利要求1所述的抛光组合物,进一步包含:
至少一种凹陷降低剂;
其中,所述至少一种凹陷降低剂是含有至少一种基团的化合物,所述至少一种基团选自于由羟基、硫酸基、膦酸基团、磷酸基团、磺酸基、氨基、硝酸基团、亚硝酸基团、羧基以及碳酸基团组成的组。
3.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述至少一种凹陷降低剂选自由多醣和经取代多醣组成的组的至少一种。
4.如权利要求1的所述抛光组合物,其中,所述至少一种凹陷降低剂包含角叉菜胶、黄原胶、羟丙基纤维素、甲基纤维素、乙基纤维素、羟丙基甲基纤维素或羧甲基纤维素。
5.如权利要求1的所述抛光组合物,其中,所述疏水部分包含C12至C32烃基团。
6.如权利要求1的所述抛光组合物,其中,所述疏水部分包含C16至C22烃基团。
7.如权利要求1的所述抛光组合物,其中,所述亲水部分含有磷酸基团或膦酸基团。
8.如权利要求1的所述抛光组合物,其中,所述至少一种氮化物去除率降低剂选自由以下组成的组:萘磺酸-福尔马林缩合物、月桂醇磷酸酯、肉豆蔻醇磷酸酯、硬脂酰磷酸酯、磷酸正十八酯、油醇磷酸酯、磷酸二十二烷基酯、十八烷基硫酸酯、三十二烷基磷酸酯、油醇聚醚-3-磷酸酯,以及油醇聚醚-10-磷酸酯。
9.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述至少一种氮化物去除率降低剂具有0个分开所述疏水部分和所述亲水部分的环氧烷基团。
10.如权利要求2所述的抛光组合物,其中,所述至少一种氮化物去除率降低剂和所述至少一种凹陷降低剂是化学上彼此不同的。
11.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述抛光组合物具有至少约3:1的氧化硅去除率比氮化硅去除率的比率。
12.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述抛光组合物具有至少约100:1的氧化硅去除率比氮化硅去除率的比率。
13.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述至少一种磨料选自由下列所组成的组:阳离子磨料、基本上磨料以及阴离子磨料。
14.如权利要求1所述的抛光组合物,其中,所述至少一种磨料选自由下列组成的组:氧化铝、二氧化硅、二氧化钛、二氧化铈、氧化锆、其共形成产物、涂敷磨料、表面改性磨料以及其混合物。
15.如权利要求1所述的组合物,其中,所述酸选自由下列组成的组:甲酸、乙酸、丙二酸、柠檬酸、丙酸、苹果酸、己二酸、琥珀酸、乳酸、草酸、羟基乙叉二膦酸、2-膦基丁烷-1,2,4-三羧酸、氨基三甲叉膦酸、己二胺四甲叉膦酸、双(六亚甲基)三胺膦酸、氨基乙酸、过乙酸、乙酸钾、苯氧基乙酸、甘氨酸、N-二甘氨酸、二甘醇酸、甘油酸、三甲基甘氨酸、丙氨酸、组氨酸、缬氨酸、苯基丙氨酸,脯氨酸、谷氨酰胺、天冬氨酸、谷氨酸、精氨酸、赖氨酸、酪氨酸、苯甲酸、硝酸、硫酸、亚硫酸、磷酸、膦酸、盐酸、过碘酸及其混合物。
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