[发明专利]清洗装置、清洗方法及清洗系统

说明书

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种清洗装置、清洗方法及清洗系统。其中，清洗装置，包括清洗箱；设置在清洗箱内、用于放置并带动待清洗物旋转的旋转台；设置在旋转台上方的通风口，通风口用于向清洗箱内输入无尘空气；围绕旋转台设置的第一挡板；自第一挡板向上、并朝向靠近第一挡板内部方向延伸的第二挡板和第三挡板，第二挡板至少部分位于旋转台上方，第三挡板位于第二挡板上方、且第三挡板与旋转台的夹角大于第二挡板与旋转台的夹角；第二挡板及第一挡板与旋转台之间间隔形成通风通道。本发明实施方式所提供的清洗装置、清洗方法及清洗系统具有有效的减少待清洗物表面的微粒残留。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种清洗装置、清洗方法及清洗系统。

背景技术

随着半导体集成电路制造技术的高速发展，集成电路芯片的图形特征尺寸已进入到深亚微米阶段，而造成芯片上超细微电路失效或损坏的关键玷污物的特征尺寸也随之大为减小。

在集成电路的生产加工工艺过程中，半导体硅片通常都会经过诸如薄膜沉积、刻蚀、抛光等多道工艺步骤。而这些工艺步骤就成为玷污物产生的重要场所。为了保持硅片表面的清洁状态，消除在各个工艺步骤中沉积在硅片表面的玷污物，必须对经受了每道工艺步骤后的硅片进行清洗处理。因此，清洗工艺成为集成电路制作过程中最普遍的工艺步骤，其目的在于有效地控制各步骤的玷污水平，以实现各工艺步骤的目标。

为了有效地清除硅片表面的玷污物，现有技术中出现了专门针对硅片进行清洗的水洗机台，在水洗机台中，硅片被放置在单片清洗机台腔体内的旋转平台上，并按照一定的速度旋转；同时向硅片的表面喷淋一定流量的水，对硅片表面进行清洗。同时，为了防止液滴飞溅，在清洗台周围设置有挡板。

此外，现有技术中的水洗机台对硅片进行清洗后，还需要通风吹去硅片上的液滴等微粒残留，此时挡板与旋转台之间形成通风通道，通入的空气进入通风通道，吹走微粒并从通风通道排出。

然而，本发明的发明人发现，现有的清洁设备吹去微粒的过程中风速较慢，效果较差，硅片表面仍有较多的微粒残留。

发明内容

本发明实施方式的目的在于提供一种清洗装置、清洗方法及清洗系统，可以有效的减少待清洗物表面的微粒残留。

为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种清洗装置，包括：清洗箱；设置在所述清洗箱内、用于放置并带动待清洗物旋转的旋转台；设置在所述旋转台上方的通风口，所述通风口用于向所述清洗箱内输入无尘空气；围绕所述旋转台设置的第一挡板，所述第一档板与所述旋转台相互间隔设置；自所述第一挡板向上、并朝向靠近所述第一挡板内部方向延伸的第二挡板和第三挡板，所述第二挡板至少部分位于所述旋转台上方，所述第三挡板位于所述第二挡板上方、且所述第三挡板与所述旋转台的夹角大于所述第二挡板与所述旋转台的夹角。

本发明的实施方式提供了一种清洗方法，包括：将待清洗物置于如前述的清洗装置中的旋转台上；经由通风口向所述清洗箱内输入无尘空气后，对清洗箱进行排气。

本发明的实施方式提供了一种清洗系统，其特征在于，包括：包括控制台和至少一个如前述的清洗装置。

本发明实施方式相对于现有技术而言，设置第二档板与旋转台的夹角小于第三挡板与旋转台的夹角，在对清洗箱进行排气时，第二档板与旋转台的夹角较现有技术中的第三挡板与旋转台的夹角更小，排气的作用区域越小，排气作用越集中，在排出的气体总量不变的情况下，作用区域越小，排气时风速越大，风速越大则带出的微粒越多，从而有效的减少待清洗物表面的微粒残留。此外，通过通风口向清洗箱内输入无尘空气，从而保持清洗箱内的洁净度，减少清洗箱中的微粒对待清洗物的清洗效果造成影响。

另外，所述第二挡板与所述旋转台的夹角小于或等于30°且大于或等于20°。