[发明专利]具有不对称源极和漏极结构的集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

鳍；

栅极堆叠体，位于所述鳍上方；

第一外延源极或漏极结构，位于所述鳍中的在所述栅极堆叠体的第一侧的第一沟槽中；和

第二外延源极或漏极结构，位于所述鳍中的在所述栅极堆叠体的第二侧的第二沟槽中，所述第二外延源极或漏极结构比所述第一外延源极或漏极结构更深入到所述鳍中。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

第一导电接触结构，在所述第一外延源极或漏极结构的顶部处耦合到所述第一外延源极或漏极结构；和

第二导电接触结构，在所述第二外延源极或漏极结构的底部处耦合到所述第二外延源极或漏极结构。

3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中所述第二导电接触结构是背面接触结构。

4.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中所述第二外延源极或漏极结构具有与所述鳍的底部共面的底部。

5.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中所述第二外延源极或漏极结构是所述集成电路结构的源极区，并且所述第一外延源极或漏极结构是所述集成电路结构的漏极区。

6.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中所述第二外延源极或漏极结构是所述集成电路结构的漏极区，并且所述第一外延源极或漏极结构是所述集成电路结构的源极区。

7.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构是压缩应力源极或漏极结构。

8.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中所述第一外延源极或漏极结构和所述第二外延源极或漏极结构是拉伸应力源极或漏极结构。

9.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中所述栅极堆叠体包括高k栅极电介质层和金属栅电极。

10.一种集成电路结构，包括：

位于鳍上方的垂直排布的纳米线；

栅极堆叠体，环绕所述垂直排布的纳米线；

第一外延源极或漏极结构，位于所述垂直排布的纳米线的第一端；和

第二外延源极或漏极结构，位于所述垂直排布的纳米线的第二端，所述第二外延源极或漏极结构沿着所述鳍比所述第一外延源极或漏极结构更深入。

11.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中所述第一外延源极或漏极结构不沿着所述鳍。

12.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中所述第一外延源极或漏极结构部分地沿着所述鳍。

13.根据权利要求10、11或12所述的集成电路结构，其中所述第二外延源极或漏极结构沿着整个所述鳍。

14.根据权利要求10、11或12所述的集成电路结构，还包括：

第一导电接触结构，在所述第一外延源极或漏极结构的顶部处耦合到所述第一外延源极或漏极结构；和

第二导电接触结构，在所述第二外延源极或漏极结构的底部处耦合到所述第二外延源极或漏极结构。

15.根据权利要求14所述的集成电路结构，其中所述第二导电接触结构是背面接触结构。

16.根据权利要求10、11或12所述的集成电路结构，其中所述第二外延源极或漏极结构具有与所述鳍的底部共面的底部。

17.根据权利要求10、11或12所述的集成电路结构，其中所述第二外延源极或漏极结构是所述集成电路结构的源极区，并且所述第一外延源极或漏极结构是所述集成电路结构的漏极区。