[发明专利]一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池在审
申请号: | 201910798540.1 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN110534615A | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 李源;赵云;张为苍;眭斌;张文进;杨亮 | 申请(专利权)人: | 北京年管家信息科技有限公司;信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 11504 北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 姚远方<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 101300 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 制备 金属钼 显示屏 金属铝 绝缘层 透明导电氧化物薄膜 太阳能电池技术 低电阻率金属 波段光线 堆叠结构 辅助电极 光伏薄膜 化合物层 结构制作 视觉效果 贴合装配 显示产品 正常显示 保护层 背电极 反射率 光产生 金属层 前电极 反射 基板 电子产品 发射 干涉 观看 | ||
本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其是涉及一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池;包括如下制备步骤:在基板上依次制备透明导电氧化物薄膜层、光伏薄膜层、背电极、绝缘层、金属层、低电阻率金属化合物层和保护层;通过提出一种太阳能电池的制备方法以解决现有的太阳能电池采用堆叠结构为金属铝+金属钼或者金属钼+金属铝+金属钼,采用此结构制作的电子产品与显示产品贴合装配后,显示屏发射出来的光被前电极辅助电极反射后重新射到显示屏内,与显示屏正常显示所发出的光产生相互干涉,导致消费者在观看产品时的视觉效果有所下降的技术问题,制备得到的太阳能电池可以将400‑740nm范围内的波段光线的反射率降低到30%以下。
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其是涉及一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池。
背景技术
能源是人类社会存在和发展的物质基础,化石燃料的大量使用也带来了一系列的问题,如能源危机和环境污染,促使人类探寻新的、清洁、安全、可再生的能源势在必行。太阳能电池产生的能量为化石燃料提供了可再生、环保和易于获得的替代品。目前一种半透明或者透明太阳能电池(Solar-cell)装置可显示电子消费品越来越得到消费者的喜欢。
目前,一种半透明或者透明太阳能电池(Solar-cell)装置可显示电子消费品,其前电极辅助电极通常采用从上到下依次堆叠结构为金属铝+金属钼或者金属钼+金属铝+金属钼,采用此结构制作的电子产品与显示产品贴合装配后,显示屏发射出来的光被前电极辅助电极反射后重新射到显示屏内,与显示屏正常显示所发出的光产生相互干涉,导致消费者在观看产品时的视觉效果有所下降。
因此,针对上述问题本发明急需提供一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池。
发明内容
本发明通过提出一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池,通过提出一种太阳能电池的制备方法以解决了现有的太阳能电池采用堆叠结构为金属铝+金属钼或者金属钼+金属铝+金属钼,采用此结构制作的电子产品与显示产品贴合装配后,显示屏发射出来的光被前电极辅助电极反射后重新射到显示屏内,与显示屏正常显示所发出的光产生相互干涉,导致消费者在观看产品时的视觉效果有所下降的技术问题。
本发明的目的在于提供一种太阳能电池的制备方法,包括如下制备步骤:
在基板上依次制备透明导电氧化物薄膜层、光伏薄膜层、背电极、绝缘层、金属层、低电阻率金属化合物层和保护层;
其中,金属层用于作为正极的辅助电极;
低电阻率金属化合物层覆于金属层上,利用其黑化特性防止金属层对显示器发射出来的光线产生反射。
优选地,金属层的材质为金属单质或合金;低电阻率金属化合物层为低电阻率金属氧化物、低电阻率合金氧化物、低电阻率金属氮化物、低电阻率合金氮化物、低电阻率金属氮氧化物、低电阻率合金氮氧化物或低电阻率金属卤化物中任一。
优选地,金属单质为银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一;
合金为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种低电阻率金属的合金;
低电阻率金属氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一金属元素的金属氧化物;
低电阻率合金氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种金属元素的合金氧化物;
低电阻率金属氮化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一金属元素的金属氮化物;
低电阻率合金氮化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种金属元素的合金氮化物;
低电阻率金属氮氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一金属元素的金属氮氧化物;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的