[发明专利]一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池在审

专利信息
申请号: 201910798540.1 申请日: 2019-08-27
公开(公告)号: CN110534615A 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 李源;赵云;张为苍;眭斌;张文进;杨亮 申请(专利权)人: 北京年管家信息科技有限公司;信利半导体有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224
代理公司: 11504 北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙) 代理人: 姚远方<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 101300 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 制备 金属钼 显示屏 金属铝 绝缘层 透明导电氧化物薄膜 太阳能电池技术 低电阻率金属 波段光线 堆叠结构 辅助电极 光伏薄膜 化合物层 结构制作 视觉效果 贴合装配 显示产品 正常显示 保护层 背电极 反射率 光产生 金属层 前电极 反射 基板 电子产品 发射 干涉 观看
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:

包括如下制备步骤:

在基板(101)上依次制备透明导电氧化物薄膜层(1)、光伏薄膜层(2)、背电极(3)、绝缘层(4)、金属层(5)、低电阻率金属化合物层(6)和保护层(7);

其中,金属层(5)用于作为正极的辅助电极;

低电阻率金属化合物层(6)覆于金属层(5)上,利用其黑化特性防止金属层(5)对显示器发射出来的光线产生反射。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于:金属层(5)的材质为金属单质或合金;低电阻率金属化合物层(6)为低电阻率金属氧化物、低电阻率合金氧化物、低电阻率金属氮化物、低电阻率合金氮化物、低电阻率金属氮氧化物、低电阻率合金氮氧化物或低电阻率金属卤化物中任一。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于:

金属单质为银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一;

合金为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种低电阻率金属的合金;

低电阻率金属氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一金属元素的金属氧化物;

低电阻率合金氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种金属元素的合金氧化物;

低电阻率金属氮化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一金属元素的金属氮化物;

低电阻率合金氮化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种金属元素的合金氮化物;

低电阻率金属氮氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中任一金属元素的金属氮氧化物;

低电阻率合金氮氧化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、锡或铂中至少一种金属元素的合金氮氧化物;

低电阻率金属卤化物为含有银、铜、金、铝、镁、钼、铬、铂或镁中任一低卤化物的金属卤化物。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于:

金属层(5)的制备过程为采用磁控溅射工艺在绝缘层(4)上制备金属层(5),采用刻蚀工艺对金属层(5)进行处理,得到图形化的金属层(5);

低电阻率金属化合物层(6)的制备过程采用磁控溅射工艺在金属层(5)上制备低电阻率金属化合物层(6),并采用刻蚀工艺对低电阻率金属化合物层(6)进行图形化处理,得到图形化的低电阻率金属化合物层(6)。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于:在基板(101)上依次采用磁控溅射工艺制备透明导电氧化物薄膜层(1)、在透明导电氧化物薄膜层(1)上采用CVD工艺制备光伏薄膜层(2)、采用磁控溅射工艺在光伏薄膜层(2)制备背电极(3);

采用光刻工艺依次对背电极(3)、光伏薄膜层(2)及透明导电氧化物薄膜层(1)进行图形化处理;

采用涂覆工艺在图形化的背电极(3)上涂覆绝缘层(4),采用光刻工艺对绝缘层(4)进行处理,得到图形化的绝缘层(4);

保护层(7)的制备过程为采用涂覆工艺或印刷工艺在图形化的金属化合物层上制备保护层(7),采用光刻工艺对保护层(7)进行处理,得到图形化的保护层(7)。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于:

透明导电氧化物薄膜层(1)的材质为掺铝的氧化锌;

光伏薄膜层(2)的材质为无机非晶硅材料;

背电极(3)的材质为金属单质或合金材料;

绝缘层(4)的材质为有机高分子聚合物或无机物中至少一种;

保护层(7)的材质为有机高分子聚合物或无机物;无机物包括氧化硅或氮化硅。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于:金属层(5)的厚度为100-1000nm;低电阻率金属化合物层(6)的厚度为35-85nm;当金属层(5)为铝时,金属层(5)的厚度为150-500nm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京年管家信息科技有限公司;信利半导体有限公司,未经北京年管家信息科技有限公司;信利半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910798540.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top