[发明专利]阵列基板的制备方法及阵列基板有效

专利信息
申请号: 201910768388.2 申请日: 2019-08-20
公开(公告)号: CN110600425B 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: 颜源;艾飞;何鹏;陆鹏 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杨艇要
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 阵列 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供一基板;

在所述基板上形成图案化的有源层;

在所述有源层上形成绝缘层;

在所述绝缘层上形成图案化的第一金属层;

采用同一光罩在所述第一金属层上形成图案化的层间介质层和像素电极层,图案化的像素电极层包括像素电极;

在所述层间介质层上形成图案化的第二金属层,图案化的第二金属层包括漏极和触控信号线,所述漏极电性连接于所述像素电极;

依次在所述第二金属层上形成保护层和第二光阻层;

采用一第二半色调光罩对所述第二光阻层进行曝光,随后对所述第二光阻层进行显影,使所述第二光阻层对应于所述触控信号走线的部分形成第二通孔、对应于公共电极层中待形成公共电极和触控电极的部分形成第二凹陷部,其中所述第二光阻层对应于所述有源层的源极区域的第二通孔连通所述第二凹陷部;

刻蚀所述保护层,使所述第二通孔暴露出所述触控信号走线;

灰化所述第二光阻层,以去除所述第二光阻层对应于所述第二凹陷部的部分,使保留下来的第二光阻层之间界定形成多个暴露所述保护层的第三凹陷部;

灰化所述第二光阻层和保护层,以使所述第三凹陷部伸入所述保护层形成底切结构;

在所述第二光阻层上形成所述公共电极层,所述公共电极层的一部分形成在第二光阻层上,另一部分形成在所述保护层上且在所述第二光阻层处断开;

去除所述第二光阻层,形成图案化的触控电极;所述触控电极电性连接于所述触控信号线。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述采用同一光罩在所述第一金属层上形成图案化的层间介质层和像素电极层,包括以下步骤:

依次在所述第一金属层上形成层间介质层、像素电极层和第一光阻层;

采用第一半色调光罩对所述第一光阻层进行曝光,随后对所述第一光阻层进行显影,使所述第一光阻层对应于所述有源层的源/漏极区域的部分形成第一通孔、和对应于所述第二金属层中待形成触控信号线的部分形成第一凹陷部,其中所述第一光阻层对应于所述有源层的源极区域的第一通孔连通所述第一凹陷部;

刻蚀所述像素电极层和所述层间介质层,使所述第一通孔暴露出所述有源层的源/漏极区域;

灰化所述第一光阻层,以去除所述第一光阻层对应于所述第一凹陷部的部分;

刻蚀所述像素电极层,以去除所述像素电极层对应于所述第一凹陷部的部分;

去除所述第一光阻层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述第一半色调光罩包括第一透光部和第二透光部,所述第一透光部的透光率大于所述第二透光部的透光率,所述第一透光部的透光率为100%,所述第一透光部对应所述有源层的源/漏极区域,所述第二透光部对应于所述第二金属层中待形成触控信号线的部分。

4.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述第一半色调光罩包括第三透光部和第四透光部,所述第三透光部的透光率大于所述第四透光部的透光率,所述第三透光部的透光率为100%,所述第三透光部对应所述触控信号走线,所述第四透光部对应于所述公共电极层中待形成的公共电极和触控电极。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,采用自对准掺杂工艺形成图案化的第一金属层。

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