[发明专利]监测系统及监测方法

说明书

本公开涉及一种监测系统及监测方法，该监测系统包括：一吸座；多个沟槽导管，布置围绕在吸座上的一晶圆位置的一圆周；一气源，与多个沟槽导管流体连通；以及一流量监测器，配置以判断从气源至多个沟槽导管的一单独一者的一气体流量。

技术领域

本公开涉及一种监测系统及监测方法，特别涉及一种用于晶圆的监测系统及监测方法。

背景技术

现代制造过程为典型地高度自动化以操纵材料及装置并产生成品。品质控制及维护过程通常依靠人类技能、知识及专业知识以检查在制造期间及作为成品的制造的产品。

除了手动检查之外，晶圆(例如，半导体工件、半导体装置或半导体材料)的典型处理可不运用特定的检查技术以将晶圆放置在吸座(chuck)上。此手动检查可能需要打开半导体处理腔室，晶圆放置在半导体处理腔室中的吸座上。此手动检查还可能需要使半导体处理腔室离线(offline)。这种检查技术需要大量的费用，但仍然不能产生令人满意的结果。因此，现有的检查技术并不完全令人满意。

发明内容

本公开一些实施例提供一种监测系统，包括：一吸座；多个沟槽导管，布置围绕在吸座上的一晶圆位置的一圆周；一气源，与沟槽导管流体连通；以及一流量监测器，配置以判断从气源至沟槽导管的一单独一者的一气体流量。

本公开一些实施例提供一种监测系统，包括：一吸座；多个沟槽导管，布置围绕在吸座上的一晶圆位置的一圆周，其中每一沟槽导管包括一锥形部分，锥形部分随着远离晶圆位置的一中心的距离而在面积上减小；一气源，与沟槽导管流体连通；以及一流量监测器，配置以判断从气源至沟槽导管的一单独一者的一气体流量。

本公开一些实施例提供一种监测方法，包括：将一晶圆放置在一晶圆位置处的一吸座上，其中吸座包括：多个沟槽导管，布置围绕在吸座上的晶圆位置的一圆周；以及一气源，与沟槽导管流体连通；基于从气源至沟槽导管的一单独一者的一气体流量而判断一晶圆偏移；以及基于晶圆偏移而在吸座上移动该晶圆。

附图说明

当结合附图阅读时，可从以下详细描述中最佳地理解本公开的各形式。应注意的是，各种特征不一定按比例绘制。实际上，为了清楚起见，可以任意增加或减少各种特征的尺寸及几何。

图1为根据一些实施例的监测吸座系统的概念平面图图示。

图2A为根据一些实施例的监测吸座系统的概念侧视图。

图2B为根据一些实施例的沟槽的剖视图。

图3示出根据一些实施例的暴露沟槽尖端的偏移晶圆。

图4A为根据一些实施例的具有四分之一圆周(quadrant based)的沟槽的监测吸座的平面图。

图4B为根据一些实施例的具有位于四分之一圆周的沟槽的多个尖端的监测吸座的平面图。

图4C为根据一些实施例的二环监测吸座的平面图，此二环监测吸座具有突起沟槽(granular groove)的外环及四分之一圆周的沟槽的内环。

图4D为根据一些实施例的具有三角形沟槽的外环的二环监测吸座的平面图。

图5为根据一些实施例的监测吸座系统的各种功能模块的方框图。

图6为根据一些实施例的监测吸座过程的流程图。

附图标记说明：

102、502 监测吸座系统

104、402、420、440、460 监测吸座

104A 上部

104B 下部