[发明专利]监测系统及监测方法有效
申请号: | 201910764672.2 | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN110838459B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 王国鸿 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 韩旭;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 监测 系统 方法 | ||
1.一种监测系统,包括:
一吸座;
多个沟槽导管,布置围绕在该吸座上的一标称晶圆位置的一圆周;
一气源,与所述多个沟槽导管流体连通;
一流量监测器,配置以判断从该气源至所述多个沟槽导管的一单独一者的一气体流量;以及
一处理器,操作地耦接至该流量监测器,
其中每一沟槽导管包括一锥形部分,该锥形部分随着远离该标称晶圆位置的一中心的距离而在面积上变化,
其中该处理器基于从该气源至所述多个沟槽导管的该单独一者的该气体流量而判断一晶圆偏移。
2.如权利要求1所述的监测系统,其中该锥形部分沿远离该标称晶圆位置的该中心的一最大距离以一曲线布置。
3.如权利要求1所述的监测系统,其中所述多个沟槽导管布置为两个同心环,每一环包括至少两个沟槽导管。
4.如权利要求3所述的监测系统,其中该两个同心环的一者包括比另一者更多的沟槽导管。
5.如权利要求1所述的监测系统,其中所述多个沟槽导管布置为一外环及一内环,其中该外环与该内环同心,且该外环包括比该内环更多的沟槽导管。
6.如权利要求1所述的监测系统,其中所述多个沟槽导管包括一三角形形状。
7.如权利要求1所述的监测系统,其中所述多个沟槽导管包括为环形的至少四个沟槽导管。
8.一种监测系统,包括:
一吸座;
多个沟槽导管,布置围绕在该吸座上的一标称晶圆位置的一圆周,其中每一沟槽导管包括一锥形部分,该锥形部分随着远离该标称晶圆位置的一中心的距离而在面积上减小;
一气源,与所述多个沟槽导管流体连通;
一流量监测器,配置以判断从该气源至所述多个沟槽导管的一单独一者的一气体流量;以及
一处理器,操作地耦接至该流量监测器,
其中该处理器基于从该气源至所述多个沟槽导管的该单独一者的该气体流量而判断一晶圆偏移。
9.如权利要求8所述的监测系统,其中所述多个沟槽导管的边缘对准该标称晶圆位置。
10.如权利要求8所述的监测系统,其中一单一气源与所述多个沟槽导管的每一者流体连通。
11.如权利要求8所述的监测系统,其中该吸座为一静电吸座。
12.如权利要求8所述的监测系统,其中该锥形部分终止于远离该标称晶圆位置的该中心的一最大距离处的一点。
13.如权利要求8所述的监测系统,其中该气源包括一氦气及一氩气中的至少一者。
14.一种监测方法,包括:
将一晶圆放置在一标称晶圆位置处的一吸座上,其中该吸座包括:
多个沟槽导管,布置围绕在该吸座上的该标称晶圆位置的一圆周;以及
一气源,与所述多个沟槽导管流体连通;
基于从该气源至所述多个沟槽导管的一单独一者的一气体流量而判断一晶圆偏移;以及
基于该晶圆偏移而在该吸座上移动该晶圆,
其中每一沟槽导管包括一锥形部分,该锥形部分随着远离该标称晶圆位置的一中心的距离而在面积上变化。
15.如权利要求14所述的监测方法,还包括:
基于从该气源至所述多个沟槽导管的多个者的一聚合气体流量而判断该晶圆偏移。
16.如权利要求14所述的监测方法,还包括:
基于从该气源至所述多个沟槽导管的该单独一者的一气体流率而判断该晶圆偏移。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910764672.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体制程系统以及方法
- 下一篇:清洁系统以及清洁方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造