[发明专利]一种翘曲度的控制方法及装置有效
申请号: | 201910763955.5 | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN110517968B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 王建新 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;G01B11/16 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 曲度 控制 方法 装置 | ||
本发明实施例提供了一种翘曲度的控制方法及装置,翘曲度的控制装置包括:固定结构、测量结构、调整结构以及分别与测量结构和调整结构连接的控制结构;待检测的零件的第一表面与固定结构的承载面贴合连接;测量结构用于确定零件的待检测表面的翘曲度的测量值与标准值之间的偏差值,并将偏差值发送给控制结构,待检测表面与第一表面相对设置;控制结构用于当偏差值未在预设阈值内时,根据偏差值,确定调整结构的调整参数,并向调整结构发送含有调整参数的控制信号;调整结构用于根据调整参数,调整零件的位置,使得偏差值调整至预设阈值内,这样可以解决翘曲度要求较高的零件的加工过程中测量和调整翘曲度的问题。
技术领域
本发明涉及硅片边缘抛光领域,特别涉及一种翘曲度的控制方法及装置。
背景技术
在翘曲度要求较高的零件的加工过程中,例如:在晶圆的边缘抛光中,晶圆的水平度会直接影响边缘抛光的结果,特别是当真空吸盘对晶圆进行吸附以后,晶圆表面容易产生形变,形变导致晶圆边缘水平度发生变化,最终导致边缘抛光出现不对称现象。同时,晶圆本身的微小差异也会导致工艺最终结果不确定度增加。因此,亟需提供一种测量和调整翘曲度的装置和方法。
发明内容
本发明实施例提供了一种翘曲度的控制方法及装置,以解决在翘曲度要求较高的零件的加工过程中测量和调整翘曲度的问题。
第一方面,为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种翘曲度的控制装置,包括:固定结构、测量结构、调整结构以及分别与所述测量结构和所述调整结构连接的控制结构;
其中,待检测的零件的第一表面与所述固定结构的承载面贴合连接;
所述测量结构用于确定所述零件的待检测表面的翘曲度的测量值与标准值之间的偏差值,并将所述偏差值发送给所述控制结构,所述待检测表面与所述第一表面相对设置;
所述控制结构用于当所述偏差值未在预设阈值内时,根据所述偏差值,确定所述调整结构的调整参数,并向所述调整结构发送含有所述调整参数的控制信号;
所述调整结构用于根据所述调整参数,调整所述零件的位置,使得所述偏差值调整至预设阈值内。
可选地,所述测量结构包括:发射部件和接收部件;
其中,所述发射部件用于向所述待检测表面的指定位置发射光线,所述光线经过所述待检测表面反射至所述接收部件处,所述接收部件用于根据所述光线在所述接收部件上的反射位置,确定所述待检测表面的翘曲度的测量值与标准值之间的偏差值。
可选地,所述固定结构上设置有多个通孔,所述通孔的一端与所述调整结构连通,所述调整结构通过多个通孔向所述零件的第一表面的多个位置施加压力,来调整所述零件的位置,使得所述偏差值调整至预设阈值。
可选地,所述固定结构包括:
调整部,所述调整部至少包括:设置有第一通孔的第一扇形区域、设置有第二通孔的第二扇形区域和设置有第三通孔的第三扇形区域,所述第一扇形区域、所述第二扇形区域和所述第三扇形区域的面积相等且共同组成一个圆形,所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔均与所述控制结构连通,所述调整部用于通过所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔分别向所述第一表面上与所述第一扇形区域、所述第二扇形区域和所述第三扇形区域对应位置施加第一压力、第二压力和第三压力,来调整所述零件的位置,使得所述偏差值调整至预设阈值。
可选地,所述固定结构还包括:
环形的吸附部,所述吸附部上设置有多个真空孔,所述真空孔与真空源连接,所述零件通过所述真空孔吸附在所述吸附部上,所述调整部位于所述吸附部的环内。
可选地,所述指定位置分别位于所述吸附部的圆心分别与所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔中心连线的延长线上。
可选地,所述控制结构包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造