[发明专利]纳米复合颗粒及其制备方法和应用

说明书

本发明提供了一种纳米复合颗粒，所述纳米复合颗粒包括In₂S₃纳米核，所述In₂S₃纳米核由ZnS壳层包覆。以所述In₂S₃/ZnS核壳纳米复合颗粒作为电子传输材料可以提高电子传输能力，增强量子点发光层器件的发光效率。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种纳米复合颗粒及其制备方法，以及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

半导体量子点(QDs)具有量子尺寸效应，因此可以通过调控量子点的大小来实现所需要的特定波长的发光，其中，CdSe QDs的发光波长调谐范围可以从蓝光一直到红光。在传统的无机电致发光器件中，电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在发光层复合形成激子发光。宽禁带半导体中导带电子可以在高电场下加速获得足够高的能量撞击QDs使其发光。

金属硫化物是金属离子与硫离子结合而成的一类化合物，尤其是过渡金属的硫化物更是重要的现代无机材料，作为极为重要的无机半导体材料，其优良的各种性能是不容被忽视的。硫系半导体材料已经在太阳能电池、催化剂、导电涂料、电极、传感器和热电制冷材料等领域被广泛应用。In₂S₃是一种n型导电的禁带宽度在2.0-2.3eV的半导体材料，且具有较高的电子迁移率，这些特点决定了In₂S₃可成为合适的电子传输层材料。与此同时，In₂S₃是Ⅲ-Ⅵ族半导体材料，具有三种晶体结构，分别为立方晶系In₂S₃、四方晶系In₂S₃和三方晶系In₂S₃。此外，In₂S₃化学性质稳定、资源丰富、价格便宜。但是，由于，In₂S₃禁带宽度较窄、导带高，单独作为电子传输层材料会导致电子难以注入，电子传输能力不足。

发明内容

本发明的目的在于提供一种纳米复合颗粒及其制备方法，旨在解决In₂S₃单独作为电子传输层材料时电子难以注入，电子传输能力不足的问题。

本发明的另一目的在于提供一种以上述纳米复合颗粒作为电子传输层材料的量子点发光二极管及其制备方法。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明第一方面提供一种纳米复合颗粒，所述纳米复合颗粒包括In₂S₃纳米核，所述In₂S₃纳米核由ZnS壳层包覆。

本发明第二方面提供一种纳米复合颗粒的制备方法，包括以下步骤：

将铟盐溶于有机溶剂中，制备铟盐溶液；在所述铟盐溶液中加入硫源混合反应后沉降处理得到第一沉降物；

将所述第一沉降物和锌盐溶于有机溶剂中，加入硫源混合反应，制备前驱体溶液；

待所述前驱体溶液冷却后沉降处理，得到所述纳米复合颗粒。

本发明第三方面提供一种量子点发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极的层叠结构，在所述阴极和所述阳极之间设置的量子点发光层，以及在所述阴极和所述量子点发光层之间设置的电子传输层，所述电子传输层的材料为在In₂S₃纳米核外包覆ZnS壳层的核壳纳米复合颗粒。

本发明第四方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

提供基板；