[发明专利]二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供表面形成有外延层的衬底，所述外延层的表面包括主结区和包围所述主结区的非主结区；

在所述非主结区的表面形成隔离层，并形成与所述主结区位置对应的主结槽；

对所述主结槽的底面进行扩铂处理；

在所述扩铂处理后的所述主结槽的底面形成电阻层，包括：在所述隔离层和扩铂处理后的所述主结槽的底面形成多晶硅薄膜；

对所述多晶硅薄膜进行离子注入和退火处理；

刻蚀去除退火处理后所述隔离层的表面的多晶硅薄膜；

刻蚀所述主结槽中与部分边缘接触的区域的多晶硅薄膜，形成所述电阻层；所述电阻层与所述主结槽的部分边缘相连接，得到中间器件；其中，所述电阻层在所述主结区的投影面积小于所述主结区的面积；

在所述中间器件的正面形成与所述主结区连接并与所述电阻层绝缘设置的阳极，和位于所述电阻层的表面且与所述阳极绝缘设置的电阻电极；

在所述中间器件的背面形成阴极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述非主结区的表面形成隔离层，并形成与所述主结区位置对应的主结槽，包括：

在所述外延层的表面形成隔离膜；

刻蚀所述主结区对应的隔离膜，形成所述隔离层和所述主结槽。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述中间器件的正面形成与所述主结区连接并与所述电阻层绝缘设置的阳极，和位于所述电阻层的表面且与所述阳极绝缘设置的电阻电极，包括：

在所述中间器件的正面通过沉积形成金属层；

刻蚀部分所述主结槽以及部分所述隔离层表面区域的金属层，形成所述阳极和所述电阻电极。

4.一种二极管，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，形成于所述衬底的表面，包括主结区以及包围所述主结区的非主结区；

隔离层，形成于所述非主结区的表面，其侧壁与所述主结区的表面形成与所述主结区对应的主结槽；

扩铂层，形成于所述主结区的区域内部；

电阻层，形成于所述主结区的表面，其在所述主结区的投影面积小于所述主结区的面积；

电极，包括：与所述主结区连接并与所述电阻层绝缘设置的阳极，和位于所述电阻层表面并与所述阳极绝缘设置的电阻电极，以及形成于所述衬底背面的阴极;

其中，先在所述非主结区的表面形成所述隔离层，所述主结区完全处于无遮挡状态，然后对所述主结区进行扩铂处理，扩铂完成后再在所述主结区形成所述电阻层；

所述电阻层与所述隔离层连接的一侧，所述电阻电极搭设于所述隔离层表面并与所述阳极绝缘设置。

5.根据权利要求4所述的二极管，其特征在于，所述电阻层的至少部分侧壁与所述隔离层的侧壁之间留有间隙，所述阳极通过所述间隙与所述主结区连接。