[发明专利]上电极结构、刻蚀腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种上电极结构，用于向刻蚀腔室内施加射频功率，其特征在于，包括：线圈、电极及射频电源组件；

所述线圈设置于所述刻蚀腔室内，且位于设置在所述刻蚀腔室内的介质窗的上方；

所述电极设置于所述刻蚀腔室内，且位于所述介质窗的上方，所述电极在所述介质窗上的投影位于所述线圈在所述介质窗上的投影的径向上的内侧和/或外侧；

所述射频电源组件与所述线圈及所述电极电连接，所述射频电源组件用于在进行刻蚀工艺时，仅向所述线圈施加射频功率；所述射频电源组件还用于在对所述介质窗进行清洗时，向所述线圈及所述电极施加射频功率。

2.如权利要求1所述的上电极结构，其特征在于，所述电极包括内电极以及与所述内电极相连的外电极；所述内电极位于所述线圈径向上的内侧，所述外电极位于所述线圈径向上的外侧。

3.如权利要求2所述的上电极结构，其特征在于，所述内电极的外缘与所述线圈之间沿径向具有第一距离；所述外电极的内缘与所述线圈之间沿径向具有第二距离；所述第一距离及所述第二距离均大于等于一预设安全阈值。

4.如权利要求3所述的上电极结构，其特征在于，所述预设安全阈值大于等于20毫米。

5.如权利要求2-4任一项所述的上电极结构，其特征在于，所述内电极为圆形结构，所述外电极为环形结构；或者，所述内电极为星形结构，所述外电极为环状星形结构。

6.如权利要求1-4任一项所述的上电极结构，其特征在于，所述电极、所述线圈均与所述刻蚀腔室内的介质窗贴合设置。

7.如权利要求1-4任一项所述的上电极结构，其特征在于，所述线圈包括至少两个平面单圈线圈，所述至少两个平面单圈线圈沿径向并列排布且同心、共面设置。

8.如权利要求1至4的任一所述的上电极结构，其特征在于，所述射频电源组件包括：射频电源、匹配器、继电器及电容，所述射频电源依次通过所述匹配器、所述继电器及所述电容与所述电极电连接；所述射频电源通过所述匹配器与所述线圈电连接；当进行刻蚀时，所述继电器断开且所述射频电源向所述线圈施加射频功率；当需要进行清洗时，所述继电器闭合且所述射频电源同时向所述线圈及所述电容施加射频功率，所述电容向所述电极施加电压。

9.一种刻蚀腔室，其特征在于，所述刻蚀腔室内设置有如权利要求1至8的任一所述的上电极结构。

10.一种半导体加工设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的刻蚀腔室。