[发明专利]半导体存储器设备有效
申请号: | 201910752354.4 | 申请日: | 2019-08-15 |
公开(公告)号: | CN110838310B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 金东槿 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储器 设备 | ||
1.一种半导体存储器设备,该半导体存储器设备包括:
本地数据电路,所述本地数据电路被设置在存储器存储体中,联接在所述存储器存储体的存储器单元与存储体数据线之间,并且被配置为执行有效写入操作和有效读取操作;
全局数据电路,所述全局数据电路被设置在所述存储器存储体的外部,并且被配置为执行所述存储体数据线与全局数据线之间的缓冲写入操作和缓冲读取操作;以及
输入和输出电路,所述输入和输出电路联接到所述全局数据线,并且被配置为从外部装置接收数据或者向所述外部装置输出数据,
其中,所述存储体数据线包括存储体写入线和存储体读取线,并且当在执行所述有效读取操作之后执行所述有效写入操作时,所述本地数据电路将位于所述存储体读取线上的数据写入所述存储器单元。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器设备,其中,当在执行所述缓冲写入操作之后执行所述有效写入操作时,所述本地数据电路将位于所述存储体写入线上的数据写入所述存储器单元。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器设备,其中,当位于所述存储体写入线上的数据和位于所述存储体读取线上的数据彼此相等时,所述本地数据电路不对所述存储器单元执行写入操作。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器设备,其中,当在执行所述有效读取操作之后执行所述缓冲读取操作时,所述全局数据电路将位于所述存储体读取线上的数据输出到所述全局数据线。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器设备,其中,所述本地数据电路包括:
写入驱动器,所述写入驱动器被配置为将写入选择数据写入所述存储器单元;
读出放大器,所述读出放大器被配置为读取所述存储器单元中所存储的数据,并将所读取的数据输出到所述存储体读取线;以及
写入数据选择器,所述写入数据选择器被配置为基于写入模式信号输出位于所述存储体写入线上的数据和位于所述存储体读取线上的数据中的一者,作为所述写入选择数据。
6.根据权利要求5所述的半导体存储器设备,其中,所述本地数据电路还包括:比较器,所述比较器被配置为通过基于地址标记比较位于所述存储体写入线上的数据和位于所述存储体读取线上的数据来生成写入驱动器关闭信号,
其中,当所述写入驱动器关闭信号被使能时,所述写入驱动器被禁用并且不执行写入操作。
7.根据权利要求5所述的半导体存储器设备,其中,所述本地数据电路还包括:写入模式信号发生器,所述写入模式信号发生器被配置为基于缓冲写入信号和有效读取信号生成所述写入模式信号。
8.根据权利要求5所述的半导体存储器设备,其中,所述本地数据电路还包括:
第一锁存器,所述第一锁存器被配置为锁存所述存储体写入线的数据;以及
第二锁存器,所述第二锁存器被配置为锁存所述存储体读取线的数据。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器设备,其中,所述全局数据电路包括:
写入锁存器,所述写入锁存器被配置为基于缓冲写入信号将通过所述全局数据线传送的数据输出到所述存储体写入线;
读取锁存器,所述读取锁存器被配置为基于缓冲读取信号将读取选择数据输出到所述全局数据线;以及
读取数据选择器,所述读取数据选择器被配置为基于读取模式信号输出位于所述存储体写入线上的数据和位于所述存储体读取线上的数据中的一者,作为所述读取选择数据。
10.根据权利要求9所述的半导体存储器设备,其中,所述全局数据电路还包括:读取模式信号发生器,所述读取模式信号发生器被配置为基于缓冲写入信号和有效读取信号来生成所述读取模式信号。
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