[发明专利]利用转印头的微发光二极管显示器的制造方法在审
| 申请号： | 201910751844.2 | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN112397430A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 安范模;朴胜浩;宋台焕 | 申请（专利权）人： | 普因特工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01L33/48 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 汪丽红 |
| 地址： | 韩国忠清南道*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 转印头 发光二极管 显示器 制造 方法 | ||
1.一种利用转印头的微发光二极管显示器的制造方法，其是利用包括具有气孔的多孔性部件的转印头的微发光二极管显示器的制造方法，所述多孔性部件具有吸附微发光二极管的吸附区域及不吸附所述微发光二极管的非吸附区域，所述利用转印头的微发光二极管显示器的制造方法的特征在于：
所述转印头沿水平方向及垂直方向中的至少任一方向相对于所述微发光二极管进行相对移动而在所述吸附区域吸附所述微发光二极管。
2.根据权利要求1所述的利用转印头的微发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，
吸附到所述吸附区域的所述微发光二极管为属于良品的微发光二极管。
3.根据权利要求1所述的利用转印头的微发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，
所述转印头在收集有属于良品的所述微发光二极管的收集箱的上部吸附所述微发光二极管。
4.根据权利要求1所述的利用转印头的微发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，
吸附在所述吸附区域的所述微发光二极管为矩阵形态。
5.根据权利要求1所述的利用转印头的微发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，
所述转印头在漂浮有属于良品的所述微发光二极管的流体的上部吸附所述微发光二极管。
6.根据权利要求1所述的利用转印头的微发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，
所述转印头相对于所述微发光二极管往返地进行相对移动。
7.根据权利要求1所述的利用转印头的微发光二极管显示器的制造方法，其特征在于，
所述转印头相对于所述微发光二极管旋转而进行相对移动。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
