[发明专利]一种具有超结的逆导型IGBT在审
| 申请号： | 201910738148.8 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN110444584A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 郑崇芝;夏云;谯彬;李青岭;孙瑞泽;刘超;施宜军;信亚杰;王方洲;陈万军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导通状态 集电极区 集电区 逆导型 超结 导通 功率半导体技术 漂移 介质隔离层 电流分布 正向导通 传统的 单极 双极 叠加 近似 替换 隔离 优化 | ||
1.一种具有超结的逆导型IGBT，其元胞包括集电极结构、耐压层结构、发射极结构和栅极结构，耐压层结构位于集电极结构之上，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构之上；
所述发射极结构包括位于耐压层结构上表面的P型阱区(8)，位于P型阱区(8)上表面的N+发射极区(10)和P+体接触区(9)，N+发射极区(10)位于P+体接触区(9)两侧，P+体接触区(9)上表面具有绝缘层(11)，绝缘层(11)向两侧延伸与N+发射极区(10)上表面接触，N+发射极区(10)和P+体接触区(9)的共同引出端为发射极；
所述栅极结构为沟槽栅，沟槽栅由第一绝缘介质(11)和位于第一绝缘介质(11)之中的第一导电材料(12)构成；所述第一导电材料(12)的引出端为器件的栅极；所述沟槽栅位于器件两端并从器件表面垂直贯穿P型阱区(8)，沟槽栅的侧面与P型阱区(8)和N+型发射极区(10)的侧面接触；
所述耐压层结构包括N型漂移区(5)以及P型条(6)，所述P型条(6)在N型漂移区(5)中间隔分布，所述P型条(6)的上表面与P型阱区(8)的下表面相连接，所述P型条(6)与N型漂移区(5)组成超结结构，所述沟槽栅延伸入N型漂移区(5)中，N型漂移区(5)的上表面还与P型阱区(8)下表面接触；
所述集电极结构包括P+集电极区(2)、N+集电极区(1)和N型缓冲层(3)，所述N型缓冲层(3)的上表面与耐压层相连接，所述P+集电极区(2)以及N+集电极区(1)的上表面与N型缓冲层(3)相连接，所述P+集电极区(2)以及N+集电极区(1)的共同引出端为集电极；
其特征在于，所述集电极结构还包括绝缘介质隔离层(4)，绝缘介质隔离层(4)将P+集电极区(2)以及N+集电极区(1)分隔开，并且贯穿N型缓冲层(3)后延伸入P型条(6)中，位于P型条(6)中的绝缘介质隔离层(4)的侧面与上表面与N型漂移区(5)接触。
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