[发明专利]集成电子元件模块、包含其的半导体封装体及其制造方法

说明书

一种无衬底的集成电子元件模块，用于半导体封装体中，所述集成电子元件模块包括至少两个电子元件，所述至少两个电子元件中的每一个电子元件具有第一电连接体；以及第一模塑料，包封所述至少两个电子元件，所述第一模塑料包括所述集成电子元件模块的第一平坦表面和相对的第二平坦表面，其中，所述第一电连接体中的每一个直接暴露于所述集成电子元件模块的第一平坦表面上。此外，提供了一种包含所述集成电子元件模块的半导体封装体及其制造方法。

技术领域

总体上提供了一种集成电子元件模块、包含其的半导体封装体及其制造方法。

背景技术

便携式消费电子器件需求的强劲增长推动了对高容量存储设备的需求。非易失性半导体存储装置，诸如闪存存储卡，已广泛用于满足对数字信息存储和交换的日益增长的需求。它们的便携性、多功能性和坚固耐用的设计以及它们的高可靠性和大容量，使得此类存储装置理想地用于多种电子设备中，包括例如数字相机、数字音乐播放器、视频游戏控制台、PDA和蜂窝电话。

非易失性半导体存储装置通常为半导体封装体的形式。在半导体封装体中，需要提供具有不同尺寸、不同类型电连接的半导体器件(诸如，裸芯堆叠体、芯片)和电子元件(诸如应用专用集成电路(ASIC)、无源器件，例如电容器)。在存储器封装体的应用中，随着存储器封装体向大容量、微型化、紧凑设计的方向发展，封装体中半导体器件和电子元件的排布密度变得更高。存储器封装体中的电容器需要提供更大的电容量，以起到更好的去噪声、抑制浪涌电压、滤波等功能。在一些应用中，该电容量典型地高达25μF。电容器可以包含但不限于硅基(Si-based)电容器、多层陶瓷电容器(MLCC)等。典型地，硅基电容器单位面积提供的电容量很小，满足典型的电容量需求需要不合期望的大足印。而MLCC的形状尺寸各异，并且通常采用表面贴装技术(SMT)工艺安装在衬底上，从而在衬底上具有不同的足印需求。

可见，存在对在半导体封装体中提供不同尺寸、不同种类的电子元件的改善方案的需求，特别是对于以高元件密度制造这样的半导体封装体的改善的方案需求。

发明内容

根据一个实施例，一种无衬底的集成电子元件模块，用于半导体封装体中，集成电子元件模块包括：至少两个电子元件，至少两个电子元件中的每一个电子元件具有第一电连接体；以及第一模塑料，包封至少两个电子元件，第一模塑料包括集成电子元件模块的第一平坦表面和相对的第二平坦表面，其中，第一电连接体中的每一个直接暴露于集成电子元件模块的第一平坦表面上。

在另一实施例中，至少两个电子元件包含以下各项中的一种或多种的任意组合：多层陶瓷电容器、硅基电容器、电阻器、电感器、应用专用集成电路裸芯、通用用途集成电路裸芯、晶片级芯片规模封装体(WLCSP)以及方形扁平无引脚封装低压差稳压器(QFN/LDO)。

在另一实施例中，集成电子元件模块还包括形成于第一电连接体的仅一部分之上的导电凸块，导电凸块的顶表面和之上没有导电凸块的第一电连接体的顶表面全部彼此共平面。

在另一实施例中，集成电子元件模块还包括形成于第一电连接体中的每一个之上的导电凸块，导电凸块的顶表面全部彼此共平面。

在另一实施例中，第一电连接体在最接近的相邻第一电连接体之间具有小于10μm的间隔。

根据一个实施例，一种半导体封装体，包括：无衬底的集成电子元件模块，集成电子元件模块包括：至少两个电子元件，至少两个电子元件中的每一个电子元件具有第一电连接体；以及第一模塑料，包封至少两个电子元件，第一模塑料包括第一平坦表面和相对的第二平坦表面；半导体器件，包括第二电连接体；第二模塑料，包封集成电子元件模块和半导体器件，第二模塑料包括的第三平坦表面和相对的第四平坦表面，第三平坦表面相对于第二平坦表面更接近第一平坦表面；以及重分布层，重分布层形成于第三平坦表面之上；第一电连接体中的每一个直接暴露于第一平坦表面上，并且与重分布层电连接，半导体器件的第二电连接体中的每一个延伸至第三平坦表面，并且与重分布层电连接。