[发明专利]硅基微显示屏及其制备方法

说明书

本发明提供了一种硅基微显示屏及其制备方法，所述硅基微显示屏制备方法包括以下步骤：S1：提供一硅基板，在所述硅基板上制备阳极层；S2：在所述硅基板和阳极上依次蒸镀OLED层、阴极层及保护层；S3：采用黄光工艺及刻蚀工艺在所述阴极层及保护层形成空洞；S4：采用等离子体轰击并去除空洞下暴露的OLED层；S5：形成薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖所述保护层及所述硅基板；其中，步骤S3中所述的刻蚀工艺、步骤S4及步骤S5均在真空环境下进行。本发明的硅基微显示屏制备方法将刻蚀及薄膜封装工艺置于真空环境下进行，防止OLED层被水汽和氧气入侵，延长了硅基微显示屏的使用寿命。

技术领域

本发明涉及OLED显示器制造领域，尤其涉及一种硅基微显示屏及其制备方法。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器与CTR(CathodeRay Tube，阴极射线管)显示器、TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器)相比具有更轻和更薄的外观设计、更宽的可视视角、更快的响应速度以及更低的功耗等特点，因此OLED显示器已逐渐作为下一代显示设备而备受人们的关注。

目前的OLED显示屏体大多采用蒸镀不同OLED材料实现OLED图形化，这种方法在像素密度低于700ppi时是没有问题的。但是当像素密度大于800ppi时，现有的制造技术将进入物理瓶颈，存在高像素密度图形化困难的问题。

另外，OLED采用的有机材料对水氧特别敏感，非常容易与渗透进来的水汽发生反应，影响电荷的注入，渗透进来的水汽和氧气还会与有机材料发生化学反应，这些反应是引起OLED器件性能下降、OLED器件寿命缩短的主要因素。因此OLED器件需要严格的封装工艺来保护它们免受水和氧气的侵蚀。

因此，有必要提供一种新的硅基微显示屏及其制备方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅基微显示屏制备方法，通过该方法制备的硅基微显示屏使用寿命较长。

为实现上述目的，本发明提供了一种硅基微显示屏制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供一硅基板，在所述硅基板上制备阳极层；

S2：在所述硅基板和阳极层上依次蒸镀OLED层、阴极层及保护层；

S3：采用黄光工艺及刻蚀工艺在所述阴极层及保护层形成空洞；

S4：采用等离子体轰击并去除空洞下暴露的OLED层；

S5：形成薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖所述保护层及所述硅基板；

其中，步骤S3中所述的刻蚀工艺、步骤S4及步骤S5均在真空环境下进行。

作为本发明进一步改进的技术方案，步骤S3中所述的刻蚀工艺、步骤S4及步骤S5在刻蚀及镀膜联动系统中进行，所述刻蚀及镀膜联动系统包括传输室及与所述传输室相连接的刻蚀室及用于形成薄膜封装层的封装室，所述刻蚀及镀膜联动系统内部为真空状态。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述刻蚀及镀膜联动系统还包括与所述传输室相连接的前置样品传送室及冷却室。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述刻蚀室包括用于刻蚀所述保护层的第一刻蚀室、用于刻蚀所述阴极层的第二刻蚀室及用于刻蚀所述OLED层的第三刻蚀室。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述步骤S1具体包括如下步骤：

S11：提供一硅基板，在所述硅基板上制备若干规则排列的过孔；

S12：采用自对准工艺，在所述硅基板上蒸镀阳极层，所述阳极层包括与所述过孔一一对应的阳极单元。