[发明专利]硅基微显示屏及其制备方法

权利要求书

1.一种硅基微显示屏制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供一硅基板，在所述硅基板上制备阳极层；

S2：在所述硅基板和阳极层上依次蒸镀OLED层、阴极层及保护层；

S3：采用黄光工艺及刻蚀工艺在所述阴极层及保护层形成空洞；

S4：采用等离子体轰击并去除空洞下暴露的OLED层；

S5：形成薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖所述保护层及所述硅基板；

其中，步骤S3中所述的刻蚀工艺、步骤S4及步骤S5均在真空环境下进行。

2.根据权利要求1所述的硅基微显示屏制备方法，其特征在于，步骤S3中所述的刻蚀工艺、步骤S4及步骤S5在刻蚀及镀膜联动系统中进行，所述刻蚀及镀膜联动系统包括传输室及与所述传输室相连接的刻蚀室及用于形成薄膜封装层的封装室，所述刻蚀及镀膜联动系统内部为真空状态。

3.根据权利要求2所述的硅基微显示屏制备方法，其特征在于，所述刻蚀及镀膜联动系统还包括与所述传输室相连接的前置样品传送室及冷却室。

4.根据权利要求2所述的硅基微显示屏制备方法，其特征在于，所述刻蚀室包括用于刻蚀所述保护层的第一刻蚀室、用于刻蚀所述阴极层的第二刻蚀室及用于刻蚀所述OLED层的第三刻蚀室。

5.根据权利要求1所述的硅基微显示屏制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括如下步骤：

S11：提供一硅基板，在所述硅基板上制备若干规则排列的过孔；

S12：采用自对准工艺，在所述硅基板上蒸镀阳极层，所述阳极层包括与所述过孔一一对应的阳极单元。

6.根据权利要求1所述的硅基微显示屏制备方法，其特征在于，所述黄光工艺的工艺温度小于90℃，所述等离子体为氩离子。

7.根据权利要求1所述的硅基微显示屏制备方法，其特征在于，所述薄膜封装层通过物理气相沉积法形成，所述薄膜封装层的材料为氮化硅。

8.根据权利要求5所述的硅基微显示屏制备方法，其特征在于，所述阳极单元的宽度为5微米。

9.根据权利要求1所述的硅基微显示屏制备方法，其特征在于，所述OLED层包括有机发光层、位于阳极层与有机发光层之间的空穴注入层和空穴传输层以及位于阴极层与有机发光层之间的电子注入层和电子传输层。

10.一种硅基微显示屏，包括依次设置的硅基板、阳极层、OLED层、阴极层、保护层及完全覆盖所述保护层及所述硅基板的薄膜封装层，其特征在于，所述硅基微显示屏采用如权利要求1～9中任意一项所述的硅基微显示屏制备方法制成。