[发明专利]阵列基板及采用该阵列基板的制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910706640.7 | 申请日: | 2019-08-01 |
公开(公告)号: | CN110429119B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 向明 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 采用 制备 方法 显示装置 | ||
本发明披露了一种阵列基板及采用该阵列基板的制备方法以及显示装置。通过对所述阵列基板的改进设计,即在光反射层和透明电极之间设置一透明无机层或一透明有机层,并且通过调节无机层或有机层的厚度来达到调整微腔长度的效果,从而间接地减少功能层的厚度,降低蒸镀功能层时精细金属掩模板的堵孔几率。
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及采用该阵列基板的制备方法、显示装置。
背景技术
近年来,有机发光二极管(OLED)因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点,在照明和显示领域获得了广泛的关注和研究。
有机发光二极管为一种发光二极管,其中电致发光层(ElectroluminescentLayer)是有机化合物的膜。所述有机化合物响应电流而发光。典型的OLED具有多层结构,并且通常包括氧化铟锡(ITO)阳极和金属阴极。在所述ITO阳极和金属阴极之间设置有多个有机层,例如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、有机发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。在电子注入层上设有阴极(Cathode)、覆盖层(CPL)和LiF(氟化锂)层。
图1为一种通用电致发光器件结构,其中EML-R、EML-G、EML-B(EML,发光层)以及FLR、FLG、FLB(FL,功能层)都需要使用精细金属掩模板(Fine Metal Mask,FMM)进行蒸镀。FL层的作用是调节微腔的腔长。由于红光的波长(~610nm)长于绿光(~530nm)和蓝光(~450nm)的波长。因此,红色像素需要的腔体长度最长,即FLR的厚度大于FLG和FLB的厚度。
为了减小精细金属掩模板在蒸镀时的堵孔几率,就需要增加FMM的清洗更换频率,但是这样会限制了蒸镀时的产能。或者,为了减小精细金属掩模板在蒸镀时的堵孔几率,在蒸镀FLG或FLB时,同时蒸镀FLR,从而减小单独蒸镀FLR的厚度,但是这样需要精细金属掩模板同时与蓝色像素/红色像素或绿色像素/红色像素对位,于是增加了制程难度。
如何在影响电致发光器件功能的前提下,缩小FLR层的厚度,从而减小精细金属掩模板蒸镀时的堵孔几率成为了亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种阵列基板及采用该阵列基板的制备方法以及显示装置。通过对所述阵列基板的改进设计,即在光反射层和透明电极之间设置一透明无机层或一透明有机层,并且通过调节无机层或有机层的厚度来达到调整发光层到光反射层的距离的效果,从而间接地减少功能层的厚度,降低蒸镀功能层时精细金属掩模板的堵孔几率。
根据本发明的一方面,本发明提供了一种阵列基板,其包括:一薄膜晶体管层;一光反射层,所述光反射层设置在所述薄膜晶体管层上;一调节层,所述调节层设置在所述光反射层上;一阳极,所述阳极设置在所述调节层上;一像素定义层,所述像素定义层设置在所述阳极上,所述像素定义层具有根据显示不同颜色的像素所对应的开口部;其中所述调节层为透明材料制成,且所述调节层的厚度是根据不同的所述开口部而相应地设置成一对应的预设厚度。
在本发明的一实施例中,所述调节层的材料为透明无机材料或透明有机材料。
在本发明的一实施例中,所述透明无机材料为SiNx或SiO2。
在本发明的一实施例中,所述像素包括第一像素、第二像素和第三像素,且分别显示三种不同颜色。
在本发明的一实施例中,所述光反射层的材料为铝、镁、银中的其中一种。
在本发明的一实施例中,所述开口部在所述光反射层上的投影面积小于等于所述光反射层自身面积。
根据本发明的另一方面,提供一种显示装置,所述显示装置包括上述阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的