[发明专利]阵列基板及采用该阵列基板的制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910706640.7 | 申请日: | 2019-08-01 |
公开(公告)号: | CN110429119B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 向明 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 采用 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述阵列基板包括薄膜晶体管层;光反射层,所述光反射层设置在所述薄膜晶体管层上;调节层,所述调节层设置在所述光反射层上;阳极,所述阳极设置在所述调节层上;像素定义层,所述像素定义层设置在所述阳极上,所述像素定义层具有根据显示不同颜色的像素所对应的开口部;所述开口部在所述光反射层上的投影面积小于等于所述光反射层自身面积;所述像素包括第一像素、第二像素和第三像素,所述调节层为无机材料制成;
所述方法包括以下步骤:
(1)提供一阵列基板的衬底,并且在所述衬底上形成一薄膜晶体管层;
(2)在所述薄膜晶体管的有机平坦层上沉积并刻蚀形成一图案化的光反射层;
(3)在所述光反射层上沉积并刻蚀形成一图案化的调节层;
(4)在所述调节层上沉积并刻蚀形成一图案化的阳极;以及
(5)通过曝光、显影并固化形成一图案化的像素定义层,并且使所述像素定义层暴露出部分阳极,所述像素定义层具有根据显示不同颜色的像素所对应的开口部,对应于所述开口部位置的阳极在所述光反射层的 正上方;所述开口部在所述光反射层上的投影面积小于等于所述光反射层自身面积;
其中,所述调节层为透明材料制成,且所述调节层的厚度是根据不同的所述开口部而相应地设置成一对应的预设厚度;
在步骤(3)中进一步包括:
(31)在所述光反射层上沉积一第一无机层,并且在第二像素所在区域和第三像素所在区域及所述薄膜晶体管层的源漏极接触处进行刻蚀开孔;
(32)再次沉积一第二无机层,并且在第三像素所在区域及所述薄膜晶体管层的源漏极接触处进行刻蚀开孔;
(33)再次沉积一第三无机层,并且在所述薄膜晶体管层的源漏极接触处进行刻蚀开孔,使得与所述第一像素所在区域对应的调节层的厚度相应地设置成第一无机层、第二无机层和第三无机层的厚度之和,与所述第二像素所在区域对应的调节层的厚度相应地设置成第二无机层和第三无机层的厚度之和,与所述第三像素所在区域对应的调节层的厚度相应地设置成第三无机层的厚度。
2.根据权利要求1所述阵列基板的制备方法,其特征在于,所述调节层的材料为透明无机材料。
3.根据权利要求2所述阵列基板的制备方法,其特征在于,所述透明无机材料为SiNx或SiO2。
4.根据权利要求1所述阵列基板的制备方法,其特征在于,所述光反射层的材料为铝、镁、银中的其中一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的