[发明专利]晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统在审
申请号: | 201910688718.7 | 申请日: | 2019-07-29 |
公开(公告)号: | CN112309854A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 芦冬云;张琼 | 申请(专利权)人: | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;H01L21/67 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;张冉 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆片上 tiniag 腐蚀 均匀 控制 方法 系统 | ||
本发明公开了一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统,所述控制方法包括:获取晶圆片对应的第一区域;获取所述晶圆片上的TiNiAg层对应的第二区域;其中,所述第二区域中排布若干个管芯;根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域;在对所述TiNiAg层进行光刻版时,采用管芯对所述目标区域进行填充。本发明使得整个晶圆片的横向和纵向的划片槽完全贯通,从而提高了腐蚀时液体流动的均匀性,保证腐蚀时液体流动的通畅,使得每颗管芯的腐蚀状态都相近,达到均匀腐蚀,无Ni残留,进而提高了生产效率及产品良率。
技术领域
本发明涉及加工设备技术领域,特别涉及一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统。
背景技术
TiNiAg工艺通常用在电压保护器件、肖特基等单管的产品上。正面TiNiAg层的主要用途是为了满足贴片的封装要求,该封装方式无需金引线,封装尺寸小,可以达到有效的降低成本的目的。
考虑到液体的流动对Ni的腐蚀有极大的影响,而测试图形、对准标记、监控图形及空白区域与正常管芯的光刻后暴露的区域不同,液体在这些区域的流动会受到阻碍,从而导致Ni的腐蚀速率降低,极易造成Ni的残留,而AgNi腐蚀一旦有残留,就会引起产品的报废,降低成品率,对在线生产造成极大的浪费。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中液体在测试图形、对准标记、监控图形及空白区域等位置极易腐蚀不干净,容易造成产品的报废的缺陷,提供一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题:
本发明提供一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法,所述控制方法包括:
获取晶圆片对应的第一区域;
获取所述晶圆片上的TiNiAg层对应的第二区域;其中,所述第二区域中排布若干个管芯;
根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域;
在对所述TiNiAg层进行光刻版时,采用管芯对所述目标区域进行填充。
较佳地,所述根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域的步骤包括:
确定所述第一区域中除所述第二区域之外的区域为所述晶圆片中没有排布管芯的所述目标区域。
较佳地,所述采用管芯对所述目标区域进行填充的步骤包括:
采用管芯将所述目标区域填充满。
较佳地,当所述管芯将所述目标区域填充满时,所述目标区域中的管芯的排布状态与所述第二区域中的管芯的排布状态一致。
较佳地,所述目标区域包括测试图形、对准标记、监控图形和空白区域中的至少一种。
本发明还提供一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制系统,所述控制系统包括第一区域获取模块、第二区域获取模块、目标区域获取模块和控制模块;
所述第一区域获取模块用于获取晶圆片对应的第一区域;
所述第二区域获取模块用于获取所述晶圆片上的TiNiAg层对应的第二区域;其中,所述第二区域中排布若干个管芯;
所述目标区域获取模块用于根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域;
所述控制模块用于在对所述TiNiAg层进行光刻版时,采用管芯对所述目标区域进行填充。
较佳地,所述第二区域获取模块用于确定所述第一区域中除所述第二区域之外的区域为所述晶圆片中没有排布管芯的所述目标区域。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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