[发明专利]晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统在审
申请号: | 201910688718.7 | 申请日: | 2019-07-29 |
公开(公告)号: | CN112309854A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 芦冬云;张琼 | 申请(专利权)人: | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;H01L21/67 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;张冉 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆片上 tiniag 腐蚀 均匀 控制 方法 系统 | ||
1.一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法,其特征在于,所述控制方法包括:
获取晶圆片对应的第一区域;
获取所述晶圆片上的TiNiAg层对应的第二区域;其中,所述第二区域中排布若干个管芯;
根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域;
在对所述TiNiAg层进行光刻版时,采用管芯对所述目标区域进行填充。
2.如权利要求1所述的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法,其特征在于,所述根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域的步骤包括:
确定所述第一区域中除所述第二区域之外的区域为所述晶圆片中没有排布管芯的所述目标区域。
3.如权利要求1所述的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法,其特征在于,所述采用管芯对所述目标区域进行填充的步骤包括:
采用管芯将所述目标区域填充满。
4.如权利要求3所述的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法,其特征在于,当所述管芯将所述目标区域填充满时,所述目标区域中的管芯的排布状态与所述第二区域中的管芯的排布状态一致。
5.如权利要求1所述的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法,其特征在于,所述目标区域包括测试图形、对准标记、监控图形和空白区域中的至少一种。
6.一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制系统,其特征在于,所述控制系统包括第一区域获取模块、第二区域获取模块、目标区域获取模块和控制模块;
所述第一区域获取模块用于获取晶圆片对应的第一区域;
所述第二区域获取模块用于获取所述晶圆片上的TiNiAg层对应的第二区域;其中,所述第二区域中排布若干个管芯;
所述目标区域获取模块用于根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶圆片中没有排布管芯的目标区域;
所述控制模块用于在对所述TiNiAg层进行光刻版时,采用管芯对所述目标区域进行填充。
7.如权利要求6所述的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制系统,其特征在于,所述第二区域获取模块用于确定所述第一区域中除所述第二区域之外的区域为所述晶圆片中没有排布管芯的所述目标区域。
8.如权利要求6所述的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制系统,其特征在于,所述控制模块用于采用管芯将所述目标区域填充满。
9.如权利要求8所述的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制系统,其特征在于,当所述管芯将所述目标区域填充满时,所述目标区域中的管芯的排布状态与所述第二区域中的管芯的排布状态一致。
10.如权利要求6所述的晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制系统,其特征在于,所述目标区域包括测试图形、对准标记、监控图形和空白区域中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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