[发明专利]一种芯片焊线后模块表面一体式保护方法在审
申请号: | 201910673963.0 | 申请日: | 2019-07-25 |
公开(公告)号: | CN110299293A | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 杨斌;崔成强;周章桥;张昱;杨冠南 | 申请(专利权)人: | 广东禾木科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56 |
代理公司: | 杭州聚邦知识产权代理有限公司 33269 | 代理人: | 周美锋 |
地址: | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护性材料 喷嘴 键合丝 芯片 焊接 模块表面 芯片框架 焊接点 焊线 焊接技术领域 集成电路表面 互连线路 技术要点 喷射装置 器件使用 芯片表面 芯片焊接 焊机 保护层 传统的 防腐蚀 后表面 拆下 喷涂 连通 集成电路 冷却 存储 暴露 | ||
本发明公开了一种芯片焊线后模块表面一体式保护方法,涉及集成电路焊接技术领域,解决了书现有技术中键合丝焊接后表面保护层失效的问题,其技术要点是:包括以下步骤:S1、将芯片框架安装在焊机上,安装好键合丝;S2、在焊机上安装喷嘴,喷嘴连通存储有保护性材料的喷射装置,然后启动焊机;S3、通过喷嘴将保护性材料喷到芯片的表面;S4、待芯片表面的保护性材料冷却后,拆下芯片框架,完成焊接保护;本发明通过对焊接后的芯片喷涂保护性材料,用于保护键合丝焊接点,使得焊接点不会暴露下空气中,相对于传统的芯片焊接工艺,本发明可以提高集成电路表面互连线路的防腐蚀能力,延长器件使用寿命。
技术领域
本发明涉及集成电路焊接技术领域,尤其涉及一种芯片焊线后模块表面一体式保护方法。
背景技术
键合丝是传统集成电路、半导体分立器件及LED光源器件封装产品的四大基础原材料之一,是芯片与支架间重要的焊接引线。半导体元器件的焊接80%以上采用引线键合连接,随着集成电路及半导体器件向高密度、高集成度和小型化发展,军工产品、智能手机、无人驾驶汽车、物联网等众多领域对半导体封装工艺、技术、产品质量的要求越来越高,键合丝品质优劣决定了微电子IC封装产品的性能。然而,大多数的键合丝由于材料的限制,导致丝材非常容易氧化变质,使得打线后的键合丝使用寿命降低,影响芯片互连的可靠性。
现有技术中针对不同材料键合丝的防腐蚀问题,研发出了各种不同的保护工艺,如针对银丝、铜丝的防腐蚀有:镀贵金属、镀光亮银、铬酸化学钝化、浸涂有机防变色剂等方法,这些方法在一定程度上可以有效延长键合丝的存储和保护时间;然而,在键合丝焊线过程时,经过电子烧球后,键合丝表面的保护层在高温下会大量分解,使得烧成的金属球表面得不到有效保护,最终导致第一焊点、第二焊点完全暴露于外部氛围之中,极大的影响芯片互连的可靠性和电气性能,因此,我们提出了一种芯片焊线后模块表面一体式保护方法。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对上述缺陷,提供一种芯片焊线后模块表面一体式保护方法,以解决现有技术中键合丝焊接后表面保护层失效的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种芯片焊线后模块表面一体式保护方法,包括以下步骤:
S1、将芯片固定在芯片框架上,然后将芯片框架安装在焊机上,安装好键合丝;
S2、在焊机上安装喷嘴,喷嘴连通存储有保护性材料的喷射装置,使得喷嘴在焊接后喷射出保护性材料,然后启动焊机,通过键合丝将芯片焊接在芯片框架上;
S3、待芯片框架上的芯片冷却后,通过喷嘴将保护性材料喷到芯片的表面,直至芯片的表面全部被覆盖;
S4、待芯片表面的保护性材料冷却后,拆下芯片框架,完成焊接保护。
作为本发明进一步的方案,S2中,喷嘴至少设有一个。
作为本发明进一步的方案,S2中,喷嘴阵列设置,且喷嘴的数量和芯片的数量一致。
作为本发明进一步的方案,S2中,喷嘴单列设置,且喷嘴的数量和单列芯片的数量一致。
作为本发明进一步的方案,S3中,保护性材料为电路板三防漆。
作为本发明再进一步的方案,S3中,保护性材料为有机硅电路板三防漆。
作为本发明再进一步的方案,S3中,保护性材料为不含溶剂丙烯酸树脂三防漆。
综上所述,本发明与现有技术相比具有以下有益效果:
本发明通过对焊接后的芯片喷涂保护性材料,用于保护键合丝焊接点,使得焊接点不会暴露下空气中,相对于传统的芯片焊接工艺,本发明可以提高集成电路表面互连线路的防腐蚀能力,延长器件使用寿命。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造