[发明专利]显示面板中制备铁电元件的方法、显示面板及制造方法在审
| 申请号: | 201910670275.9 | 申请日: | 2019-07-24 |
| 公开(公告)号: | CN112289823A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
| 发明(设计)人: | 施文杰 | 申请(专利权)人: | 陕西坤同半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/683;H01L21/46 |
| 代理公司: | 西安亚信智佳知识产权代理事务所(普通合伙) 61241 | 代理人: | 任月娜 |
| 地址: | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 制备 元件 方法 制造 | ||
1.一种在显示面板中制备铁电元件的方法,其特征在于,该方法包括:
提供一衬底基板,在所述衬底基板表面至少部分区域形成铁电材料层;
对所述衬底基板表面的所述至少部分区域进行激光退火工艺处理,以使所述铁电材料层结晶成相而形成一铁电元件。
2.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述激光退火工艺为准分子激光退火工艺。
3.根据权利要求2所述方法,其特征在于,所述铁电材料为铁酸铋、锆钛酸铅或者钛酸锶铋。
4.根据权利要求3所述方法,其特征在于,所述铁电材料的能隙与所述激光的波长相关;所述铁电材料的能隙与所述激光的波长关系为λ=1.24/Eg,其中λ表示波长,Eg表示能隙。
5.根据权利要求4所述方法,其特征在于,所述准分子激光退火工艺中采用的激光的波长小于343nm。
6.根据权利要求1~5之一所述方法,其特征在于,形成的所述铁电元件为压力感应元件、温度传感元件、铁电存储元件和磁感应元件中的任意一个。
7.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
TFT阵列层,形成于所述衬底基板表面;
铁电元件,通过权利要求1~6任一项所述在显示面板中制备铁电元件的方法形成于所述衬底基板表面,该铁电元件与所述TFT阵列层位于同一层;
OLED发光层,形成于所述TFT阵列层远离所述衬底基板的表面。
8.一种在显示面板中制备铁电元件的方法,其特征在于,该方法包括:
提供一载板玻璃,在该载板玻璃表面形成一牺牲层;
在所述牺牲层表面形成铁电材料层;
对所述铁电材料层进行激光退火工艺处理,以使所述铁电材料层结晶成相而形成一铁电元件。
9.一种显示面板的制造方法,其特征在于,该方法包括:
通过权利要求8所述在显示面板中制备铁电元件的方法,在牺牲层表面形成一铁电元件;
在该铁电元件表面形成柔性基板,在该柔性基板表面依次形成层叠的TFT阵列层以及OLED发光层;
通过激光剥离技术去除所述牺牲层而得到一显示面板。
10.一种显示面板,其特征在于,由权利要求9所述显示面板的制造方法制造而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





