[发明专利]具有改进电可接入性的封装结构的电子装置和制造方法

说明书

本公开涉及具有改进电可接入性的封装结构的电子装置和制造方法，其中电子装置包括：半导体裸片，集成了电子部件；引线框架，容纳了半导体裸片；保护本体，横向围绕和在半导体裸片的顶部上，并且至少部分地围绕引线框架结构，限定了电子装置的顶表面、底表面和厚度；以及导电引线，电耦合至半导体裸片。导电引线以此方式建模以便延伸遍布保护本体的厚度以用于形成可从电子装置的顶表面联接的正面电接触，以及可从电子装置的底表面联接的背面电接触。

本申请是申请日为2015年9月22日、申请号为201510609799.9、名称为“具有改进电可接入性的封装结构的电子装置和制造方法”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种具有改进的电可接入性的包括封装结构的电子装置和制造电子装置的方法。

背景技术

如已知的那样，在半导体装置的制造中，封装或包装是将半导体衬底转换为可以安装在印刷电路板(PCB)上的功能部件的最终步骤。通常，半导体衬底形式为半导体裸片。封装为半导体裸片提供了保护并且提供了必要的电连接，通过电连接其能够向半导体裸片提供信号并且获取来自半导体裸片的信号。

为了满足越来越高度集成和尺寸缩减的需求，当前使用的封装方法包括裸片级或晶片级封装(WLP)和3D封装。其他解决方案构思了表面安装装置(SMD)，其能够进一步缩减封装的尺寸和组件的成本。例如，考虑已知为PowerFlat^TM的封装。该类型封装使得当安装在PCB上时减小了由封装自身占据的空间，并且同时通过在封装底部与PCB之间金属连接而提高了与PCB自身的热交换。实际上，如借由图1中示例的方式所示，通过延伸在封装底表面中的平坦区域而获得电连接。参照图1，由附图标记1标注封装。构成了用于裸片3的支撑基座并且设计用于在裸片3和封装1外侧之间提供电连接的结构2已知为“引线框架”，并且以此方式延伸使得其底表面区域2b位于与封装1的底表面1b相同的平面中，因此自身构成了封装1的底表面1b的一部分。裸片3接合(例如由粘合层4)至引线框架2的顶表面区域2a。该顶表面区域2a具有明确地专用于与裸片3耦合的平坦表面，更好地已知为“裸片连接焊盘”。引线框架2的顶表面区域2a与引线框架2的底表面区域2b相对。

引线框架2在底表面区域2b上形成了多个电接触区域5a、5b，其相互电绝缘并且每个设计用于传输来自和/或发送至PCB的信号。例如，如果裸片3提供了MOS晶体管，电接触区域5a将例如电耦合至MOSFET的源极区域S，而电接触区域5b将例如电耦合至MOS晶体管的漏极区域D。在该示例中必须提供其他电接触(未示出)以形成栅极电接触。

树脂层7、特别是环氧树脂延伸在引线框架2的顶表面区域2a之上以覆盖并保护裸片3，并且设计用于确保引线框架2和裸片3的顶部电绝缘。树脂7进一步延伸在引线框架2的穿孔区域中，直至其到达底表面区域2b所在平面，并且因此完成了封装1的底表面1b的形成。

因为电接触区域5a、5b均延伸在封装1的底表面1b中，因此在封装1的底表面1b处获得了与PCB(在此未示出)的电耦合。通常，引线框架2的整个底表面区域2b被设计用于面向PCB，并且因此同样地提供了用于在封装1和PCB之间热交换的表面。

当前的封装并且特别是参照图1所述的封装展示某些缺点。特别地，对于功率应用而言，与PCB获得的热交换可能不足以确保裸片3的良好冷却。此外，用于测试封装1的操作证明是复杂和昂贵的，在它们仅可以通过提供专用于测试工序的PCB而执行的范围内，封装1将要通过底表面1b的接合而耦合至PCB。

发明内容

本发明的目的在于提供一种将能够克服现有技术的关键方面并且扩展其功能的电子装置和制造电子装置的方法。

根据本发明，如所附权利要求中所限定的那样获得了一种电子装置和制造电子装置的方法。

附图说明