[发明专利]具有改进电可接入性的封装结构的电子装置和制造方法在审
申请号: | 201910635591.2 | 申请日: | 2015-09-22 |
公开(公告)号: | CN110379718A | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | F·科庞;A·米诺蒂;F·萨拉莫内 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/48;H01L23/31;H01L23/495 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张宁 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体裸片 电子装置 从电子装置 导电引线 封装结构 可接入性 电接触 顶表面 联接 引线框架结构 电子部件 横向围绕 引线框架 电耦合 建模 制造 背面 改进 容纳 延伸 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
集成电子元件的半导体裸片;
引线框架包括支撑区域和导电引线,半导体裸片耦合到所述支撑区域,所述导电引线具有第一电接触表面,与所述第一电接触表面相对的第二电接触表面,以及在所述第一电接触表面和所述第二电接触表面之间延伸的第三电接触表面;
导电构件,将所述半导体裸片的所述电子元件电耦合到所述导电引线;以及
保护本体,在所述引线框架的所述支撑区域和所述裸片之上并且在所述导电引线的侧表面的一部分周围,所述保护本体具有第一表面、第二相对表面和侧表面,所述导电引线从所述第一表面延伸穿过所述保护本体到所述第二表面,所述导电引线的所述第一电接触表面被暴露在所述保护本体的所述第一表面处,所述第二电接触表面被暴露在所述保护本体的所述第二表面处,以及所述第三电接触表面沿着所述保护本体的整个厚度在所述侧表面处被暴露。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中所述半导体裸片具有上表面和在所述上表面上的电接入区域,其中所述导电构件具有耦合到所述电接入区域的第一端和耦合到所述导电引线的所述第一电接触表面的第二端。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中所述半导体裸片电耦合到所述引线框架的所述支撑区域。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中所述导电引线包括在所述第一电接触表面和所述第二电接触表面之间的悬臂部分,所述悬臂部分从所述保护本体的侧表面延伸。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中所述导电构件是导电薄片或导电条带中的一种。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中所述支撑区域的下表面保持从所述保护本体暴露。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造