[发明专利]基板、包括该基板的显示装置以及该显示装置的制造方法

说明书

用于显示装置的基板被公开。一方面，基板包括：活性层，被形成在底部基板的基本所有部分上，并且包括第一区域和具有高于第一区域的载流子浓度的第二区域。基板还包括：线，与第一区域重叠；以及接触电极，将线电连接到活性层的第二区域。

技术领域

本申请总体上涉及包括线的用于显示装置的基板、包括该基板的显示装置以及该显示装置的制造方法。

背景技术

显示装置被安装在包括薄膜晶体管(TFT)、电容器以及连接TFT和电容器的线的具有图案的基板上。显示装置待安装在基板上，具有精细图案的掩膜被用为将该图案转印到基板上，以形成包括如TFT等的精细图案。

通常，可以通过光刻法执行通过使用掩膜的图案转印。根据光刻法工艺，光刻胶被均匀地涂覆在待具有图案的基板上，通过使用如步进器的曝光设备曝光光刻胶，之后，(在正性光刻胶的情况下)，曝光的光刻胶被进行显影。此外，在光刻胶的显影之后，使用剩余的光刻胶作为掩膜通过蚀刻形成图案，并去除无需的光刻胶。

发明内容

一个创造性方面为防止线中的寄生电容的用于显示装置的基板、包括该基板的显示装置以及显示装置的制造方法。

另一个方面为用于显示装置的基板，包括：活性层，形成在底部基板的基本所有部分上并且包括第一区域和具有高于第一区域的载流子浓度的第二区域；线，与第一区域重叠；以及接触电极，将线电连接到活性层的第二区域。

第二区域不与线重叠并且被布置为与线相邻。活性层包括硅。

基板可以进一步包括：第一绝缘层，覆盖活性层并且包括暴露第二区域的第一开口，其中线被形成为与第一区域重叠在第一绝缘层上。

基板可以进一步包括：第二绝缘层，包括覆盖线并暴露线的一部分的第二开口和连接到第一开口的第三开口。

第二区域的面积对应于第三开口的尺寸。第二绝缘层的厚度大于第一绝缘层的厚度。接触电极被形成在第二绝缘层上并且通过第一开口、第二开口和第三开口将线电连接活性层。线被电连接到薄膜晶体管。线被划分为多个线并且之后合并起来，并且接触电极被布置在线被划分为多个线并且之后合并起来的位置。

另一个方面为显示装置，包括：活性层，形成在底部基板的基本所有部分上并且包括第一区域和具有高于第一区域的载流子浓度的第二区域；薄膜晶体管，包括活性层的一部分、栅电极、源电极和漏电极；显示装置，连接到薄膜晶体管并发光；栅极线，被电连接到栅电极并且与第一区域重叠；以及接触电极，将栅极线电连接到第二区域。

显示装置可以进一步包括：第一绝缘层，覆盖活性层并且包括暴露第二区域的第一开口，其中栅极线被形成为与第一区域重叠在第一绝缘层上。

显示装置可以进一步包括：第二绝缘层，包括覆盖栅极线并暴露线的一部分的第二开口和连接到第一开口的第三开口，其中源电极和漏电极被形成在第二绝缘层上，对应于活性层。

第二区域的面积对应于第三开口的尺寸。第二绝缘层的厚度大于第一绝缘层的厚度。接触电极被形成在第二绝缘层上并且通过第一开口、第二开口和第三开口将栅极线电连接活性层。接触电极被形成在与源电极和漏电极相同的水平并且由与源电极和漏电极相同的材料形成。

另一方面为显示装置的制造方法，包括：在底部基板的基本所有区域上形成半导体层；用于在半导体层上形成薄膜晶体管的栅电极和栅极线的第一掩膜工艺；用于形成层间绝缘层的第二掩膜工艺，该层间绝缘层具有暴露对应于电路区域的半导体层的一部分、栅极线的一部分和相邻于栅极线的半导体层的一部分的开口；通过开口掺杂对应于电路区域的半导体层的一部分和相邻于栅极线的半导体层的一部分，形成活性层；以及用于形成与对应于电路区域的活性层接触的源电极和漏电极，形成与栅极线的一部分和相邻于栅极线的半导体层的一部分接触的接触电极的第三掩膜工艺。