[发明专利]一种传感器及其制造方法有效
申请号: | 201910583322.6 | 申请日: | 2019-07-01 |
公开(公告)号: | CN110289216B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 胜利油田凯龙工贸有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/10;H01L23/367;H01L23/498;E21B47/022 |
代理公司: | 北京艾皮专利代理有限公司 11777 | 代理人: | 冯铁惠 |
地址: | 257029 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 传感器 及其 制造 方法 | ||
本发明提供了一种随钻定向传感器及其制造方法,其利用所述隔墙的顶端与所述壳体的顶面之间间隔一定距离,使得发射信号和接收信号的串扰达到最低,可知的,其间隔也使得填充保护树脂变得容易;通过L型固定件使得芯片固定更加牢靠,且能够增强导热;此外,多个第二通孔的设置可以防止衬底和封装体的翘曲。
技术领域
本发明涉及半导体器件封装领域,具体为传感器封装领域,涉及一种传感器及其制造方法。
背景技术
随着石油工业的不断发展和油气勘探开发难度的不断增大,石油勘探开发工业已逐渐转向开发规模更小、油层更薄、物性更差、非均质性强的油藏,定向井、水平井等特殊工艺井的应用逐年增多,在这些特殊工艺井的施工过程中,需要及时掌握钻头所钻穿的岩层性质,快速准确找到储集层,从而指导施工人员控制钻头始终穿行在储层中,以便最大限度地提高采收率,即在此过程中要进行随钻地层评价和地质导向钻井。
地质导向钻井离不开随钻测量仪器MWD和LWD。MWD(MeasurementWhile Drilling)无线随钻测量仪,是对定向井、水平井井眼轨迹随钻监测并指导完成井眼轨迹控制的测量仪器。可测到传感器安装位置处的井斜、方位、工具面、井底温度、振动等参数,然后通过泥浆脉冲把测量信息传送至地面的监控系统,以便及时识别井底的情况,调整钻进轨迹。
传感器端节就是MWD仪器的主要核心部件,该技术一直被国外大公司所垄断,世界上传感器制造技术主要是美国的GE公司和英国的RSS公司。中国各大公司一直致力于该技术的开发,先后开发出了125℃和和150℃传感器,但由于受加速度表及标定技术的限制,一直与国外的传感器存在一定差距。
钻井施工是按照一定的目的和要求,有控制地使井眼轨迹沿着预定的井眼轨道顺利钻达目标,并使效益最大化的施工过程。在钻井过程中需要不断检测井眼轨迹方向以保证按照设计目标正确施工,这需要定向传感器来实时监测井眼轨迹。但是这种随钻定向传感器的使用中,由于震动较大,封装较为容易发生剥离,从而使整个定向仪产生失效。此外,传统的定向传感器往往将发射芯片和接收芯片集成在一起,其发射信号与接收信号容易产生串扰。
发明内容
基于解决上述问题,本发明提供了一种随钻定向传感器,其包括:
散热基板,具有相对的第一表面和第二表面,在所述第一表面上设置有线路层和凸起的隔墙,所述线路层嵌入于所述散热基板内,且与所述第一表面齐平;
橡胶缓冲层,设置于所述第一表面上,所述橡胶缓冲层设有开口以露出所述线路层的焊盘部分;
第一和第二通孔,贯穿所述橡胶缓冲层和所述散热基板;
发射芯片和接收芯片,设置于所述橡胶缓冲层上,且位于所述隔墙的两侧,并焊接于所述焊盘位置,所述发射芯片和所述接收芯片的底面贴附于所述橡胶缓冲层;
L型固定件,其一边压住所述发射芯片和接收芯片,另一边穿过所述第一通孔通过焊球焊接于所述第二表面上;
壳体,其顶面上设置有分别对准所述发射芯片和接收芯片的第一滤光片和第二滤光片;环氧树脂,其填充于所述壳体内,且填充满所述第二通孔;
其中,所述隔墙的顶端与所述壳体的顶面之间间隔一定距离h。
根据本发明的实施例,在所述发射芯片上方的所述L型固定件上设置有卡位凸起,所述卡位凸起与所述L型固定件一体成型。
根据本发明的实施例,在所述卡位凸起之间设置有有准直波导,所述准直波导通过透明粘合层粘结于所述发射芯片上方。
根据本发明的实施例,所述第二通孔环绕于所述发射芯片和接收芯片的周围,所述第二通孔环绕所述第一通孔。
根据本发明的实施例,所述壳体为电磁屏蔽壳,且其接地。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造