[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201910578642.2 | 申请日: | 2019-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN110660832A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
| 发明(设计)人: | 徐政汉;成宇镛 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘灿强;薛义丹 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 柔性基底 公共层 基底层 阻挡层 有机发光二极管显示装置 有机发光层 密封构件 凹槽处 底切 断开 覆盖 制造 | ||
提供一种有机发光二极管显示装置及其制造方法。所述有机发光二极管显示装置包括:柔性基底,具有呈底切的凹槽;公共层,设置在柔性基底上,包括有机发光层,并通过凹槽断开;以及密封构件,设置在公共层上并覆盖公共层。柔性基底包括第一基底层和设置在第一基底层上的第一阻挡层。第一阻挡层相对于第一基底层在凹槽处突出。突出的第一阻挡层具有波形。
本申请要求于2018年6月29日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第 10-2018-0075296号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开的方面涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种有机发光二极管 (“OLED”)显示装置和一种制造该OLED显示装置的方法。
背景技术
显示装置是用于显示图像的设备,近来,OLED显示装置已经备受关注。这样的OLED显示装置具有自发射特性,因此,与液晶显示(“LCD”)装置不同,因为OLED显示装置中不需要单独的光源,所以可以减小OLED显示装置的厚度和重量。另外,OLED显示装置具有诸如低功耗、高亮度和高反应速率的高质量特性。
为了改善OLED显示装置的性能和寿命,需要提供气密密封以使外部湿气和氧的影响基本最小化。然而,在传统的OLED显示装置中,存在OLED 显示装置中的OLED由于外部引入到OLED显示装置中的氧和湿气而劣化的问题。
为了基本防止OLED显示装置的湿气渗透,提出了使用具有底切的凹槽的方法。
然而,当完成使用例如激光来限定凹槽的工艺时,必须在形成公共层之前去除在限定凹槽的工艺期间产生的残余材料。为此,可以采用使用高压水的清洗方法。然而,在清洗工艺中会损坏突出的阻挡层,然后会降低湿气渗透防止功能的可靠性。
将理解的是,本背景技术部分意图提供用于理解技术的有用背景,并且如这里所公开的,背景技术部分可以包括在这里所公开的主题的相应有效提交日之前不是相关领域技术人员已知或理解的部分的想法、构思或认识。
发明内容
实施例可以涉及有机发光二极管(“OLED”)显示装置,其能够增强OLED 显示装置的防止透湿性的可靠性。
根据实施例,一种有机发光二极管显示装置,所述有机发光二极管显示装置包括:柔性基底,具有呈底切的凹槽;公共层,设置在柔性基底上,包括有机发光层,并且通过凹槽断开;以及密封构件,设置在公共层上并覆盖公共层。柔性基底包括第一基底层和设置在第一基底层上的第一阻挡层。第一阻挡层相对于第一基底层在凹槽处突出。突出的第一阻挡层具有波形。
第一阻挡层可以在第一阻挡层突出所沿的第一方向上具有直线形状,并且在与第一方向垂直的第二方向上具有波形。
在第二方向上,波形可以具有脊和谷,并且脊和谷之间的高度差与脊中的相邻脊之间的距离的比率可以在约1/5至约5的范围内。
脊和谷之间的高度差与脊中的相邻脊之间的距离的比率在约1/2至约2 的范围内。
柔性基底可以具有通孔,并且凹槽可以包围通孔。
第一方向可以是穿过通孔的中心的方向,第二方向可以是相对于中心的圆周方向。
第一阻挡层的接触第一基底层的至少一部分可以具有波形。
在第一方向上,第一阻挡层的所述至少一部分的长度可以基本等于或长于第一阻挡层的突出部分的长度。
具有波形的第一阻挡层可以位于显示区域与通孔之间,图像被构造为在显示区域处显示。
第一阻挡层可以包括第一中间阻挡层,第一中间阻挡层将位于显示区域处的第一阻挡层和具有波形的第一阻挡层连接。
第一中间阻挡层可以从具有波形的第一阻挡层向上延伸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





