[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201910578642.2 | 申请日: | 2019-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN110660832A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
| 发明(设计)人: | 徐政汉;成宇镛 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘灿强;薛义丹 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 柔性基底 公共层 基底层 阻挡层 有机发光二极管显示装置 有机发光层 密封构件 凹槽处 底切 断开 覆盖 制造 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,所述有机发光二极管显示装置包括:
柔性基底,具有呈底切的凹槽;
公共层,设置在所述柔性基底上,包括有机发光层,并且通过所述凹槽断开;以及
密封构件,设置在所述公共层上并且覆盖所述公共层,
其中,所述柔性基底包括第一基底层和设置在所述第一基底层上的第一阻挡层,
所述第一阻挡层相对于所述第一基底层在所述凹槽处突出,并且
突出的所述第一阻挡层具有波形。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述第一阻挡层在所述第一阻挡层突出所沿的第一方向上具有直线形状,并且在与所述第一方向垂直的第二方向上具有所述波形。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置,其中,在所述第二方向上,所述波形具有脊和谷,并且所述脊和所述谷之间的高度差与所述脊中的相邻脊之间的距离的比率在1/5至5的范围内。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述脊和所述谷之间的所述高度差与所述脊中的所述相邻脊之间的所述距离的所述比率在1/2至2的范围内。
5.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述柔性基底具有通孔,并且
所述凹槽包围所述通孔。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述第一方向是穿过所述通孔的中心的方向,并且所述第二方向是相对于所述中心的圆周方向。
7.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述第一阻挡层的接触所述第一基底层的至少一部分具有所述波形。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置,其中,在所述第一方向上,所述第一阻挡层的所述至少一部分的长度等于或长于所述第一阻挡层的突出部分的长度。
9.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置,其中,具有所述波形的所述第一阻挡层位于显示区域与所述通孔之间,图像被构造为在所述显示区域处显示。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述第一阻挡层包括第一中间阻挡层,所述第一中间阻挡层将位于所述显示区域处的所述第一阻挡层和具有所述波形的所述第一阻挡层连接。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述第一中间阻挡层从具有所述波形的所述第一阻挡层向上延伸。
12.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述第一中间阻挡层从具有所述波形的所述第一阻挡层向下延伸。
13.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述柔性基底还包括设置在所述第一阻挡层上的第二基底层和设置在所述第二基底层上的第二阻挡层,并且
所述第二阻挡层相对于所述第二基底层在所述凹槽处突出。
14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示装置,其中,突出的所述第二阻挡层具有波形。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述第二阻挡层的所述波形与所述第一阻挡层的所述波形对应。
16.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示装置,其中,突出的所述第二阻挡层是平面的。
17.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中,所述第一基底层包括从由聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺和聚醚砜组成的组中选择的一种或更多种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910578642.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





