[发明专利]半导体系统及其操作方法

说明书

半导体系统及其操作方法。一种半导体系统可包括存储控制器和非易失性存储器设备。存储控制器可通过测量非易失性存储器设备的断电时间来生成恢复命令信号。非易失性存储器设备可基于恢复命令信号执行漂移恢复操作。

技术领域

本公开的各种实施方式涉及半导体技术，更具体地，涉及一种非易失性存储器设备以及包括该非易失性存储器设备的半导体系统。

背景技术

电子装置包括大量电子元件，并且计算机系统包括大量半导体设备，各个半导体设备包括半导体。计算机系统可包括存储器设备。动态随机存取存储器(DRAM)由于其以快速和稳定的速度存储和输出数据并且随机存取的优点而广泛用作通用存储器设备。然而，由于具有包括电容器的存储器单元，DRAM是易失性的，当断电时丢失所存储的数据。公开了闪存设备以用于克服该缺点。由于具有包括浮栅的存储器单元，闪存设备是非易失性的，即使当断电时也保持所存储的数据。然而，与DRAM相比，闪存设备具有以较低的速度存储和输出数据并且不是随机存取的缺点。

最近公开了诸如相变RAM、磁RAM、电阻RAM和铁电RAM的下一代存储器设备，其具有快速操作速度和非易失性特性的优点。具体地，PRAM具有包括硫属化物的相变存储器单元并且能够通过改变存储器单元的电阻值来存储数据。

发明内容

在本公开的实施方式中，一种半导体系统可包括非易失性存储器设备和存储控制器。非易失性存储器设备可被配置为基于恢复命令信号执行漂移恢复操作。存储控制器可被配置为测量非易失性存储器设备的断电时间并基于断电时间生成恢复命令信号。

在本公开的实施方式中，一种半导体系统可包括非易失性存储器设备和存储控制器。非易失性存储器设备可被配置为基于恢复命令信号执行漂移恢复操作。存储控制器可被配置为基于非易失性存储器设备的断电时间和半导体系统的温度变化来计算阈值电压变化，并且基于阈值电压变化来生成恢复命令信号。

在本公开的实施方式中，一种操作半导体系统的方法可包括以下步骤：当非易失性存储器设备掉电时，由存储控制器测量非易失性存储器设备的断电时间。该方法可包括以下步骤：由存储控制器基于断电时间计算阈值电压变化。该方法可包括以下步骤：由存储控制器基于阈值电压变化确定是否需要漂移恢复。并且，该方法可包括以下步骤：基于确定非易失性存储器设备何时上电的结果，由存储控制器发送恢复命令信号和正常命令信号。

附图说明

图1是例示根据本公开的实施方式的半导体系统的配置的图。

图2是例示根据存储器单元的电阻分布的存储器单元的阈值电压的图。

图3和图4是例示根据本公开的实施方式的半导体系统的操作的流程图。

图5是例示根据本公开的实施方式的半导体系统的配置的图。

图6示出例示包括根据实施方式的半导体存储器设备的存储卡的图。

图7示出帮助说明包括根据实施方式的半导体存储器设备的电子设备的框图。

图8示出例示包括根据实施方式的半导体存储器设备的数据存储装置的框图。

图9示出例示包括根据实施方式的半导体存储器设备的电子系统的框图。

具体实施方式

以下，将在下面通过实施方式参照附图描述根据本公开的半导体设备。