[发明专利]半导体系统及其操作方法在审
| 申请号： | 201910520912.4 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110648705A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 姜奭准;朴镇寿;严浩锡 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C7/24 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 半导体系统 存储控制器 恢复命令 漂移 恢复操作 信号执行 断电 测量 | ||
1.一种半导体系统，该半导体系统包括：
非易失性存储器设备，该非易失性存储器设备被配置为基于恢复命令信号执行漂移恢复操作；以及
存储控制器，该存储控制器被配置为测量所述非易失性存储器设备的断电时间并基于所述断电时间生成所述恢复命令信号。
2.根据权利要求1所述的半导体系统，其中，当所述断电时间等于或长于阈值时间段时，所述存储控制器被配置为生成所述恢复命令信号。
3.根据权利要求1所述的半导体系统，其中，所述非易失性存储器设备基于所述恢复命令信号执行横跨存储器单元施加恢复电压的第一漂移恢复操作。
4.根据权利要求3所述的半导体系统，其中，所述恢复电压具有足够高的电压电平以导致处于低电阻状态和高电阻状态的存储器单元的回跳。
5.根据权利要求1所述的半导体系统，其中，所述非易失性存储器设备基于所述恢复命令信号执行如下第二恢复操作：横跨存储器单元施加漂移读电压，对被确定为处于低电阻状态的存储器单元执行设定写操作，并对被确定为处于高电阻状态的存储器单元执行重置写操作。
6.根据权利要求5所述的半导体系统，其中，所述漂移读电压具有用于在漂移的低电阻状态和漂移的高电阻状态之间进行区分的电压电平。
7.根据权利要求6所述的半导体系统，其中，所述漂移读电压具有根据电阻漂移的程度动态地改变的电压电平。
8.根据权利要求1所述的半导体系统，其中，当所述漂移恢复操作完成时，所述非易失性存储器设备向所述存储控制器发送恢复完成信号。
9.根据权利要求8所述的半导体系统，其中，所述存储控制器在从所述非易失性存储器设备接收所述恢复完成信号之后向所述非易失性存储器设备发送正常命令信号。
10.一种半导体系统，该半导体系统包括：
非易失性存储器设备，该非易失性存储器设备被配置为基于恢复命令信号执行漂移恢复操作；以及
存储控制器，该存储控制器被配置为基于所述非易失性存储器设备的断电时间和所述半导体系统的温度变化来计算阈值电压变化，并且基于所述阈值电压变化生成所述恢复命令信号。
11.根据权利要求10所述的半导体系统，其中，当所述断电时间和所述温度变化的组合导致所述阈值电压变化大于基于表的阈值时，所述存储控制器被配置为生成所述恢复命令信号。
12.根据权利要求10所述的半导体系统，其中，所述非易失性存储器设备基于所述恢复命令信号执行横跨存储器单元施加恢复电压的第一漂移恢复操作。
13.根据权利要求12所述的半导体系统，其中，所述恢复电压具有足够高的电压电平以导致处于低电阻状态和高电阻状态的存储器单元的回跳。
14.根据权利要求10所述的半导体系统，其中，所述非易失性存储器设备基于所述恢复命令信号执行如下第二恢复操作：横跨存储器单元施加漂移读电压，对被确定为处于低电阻状态的存储器单元执行设定写操作，并对被确定为处于高电阻状态的存储器单元执行重置写操作。
15.根据权利要求14所述的半导体系统，其中，所述漂移读电压具有用于在漂移的低电阻状态和漂移的高电阻状态之间进行区分的电压电平。
16.根据权利要求14所述的半导体系统，其中，所述漂移读电压具有基于所述阈值电压变化动态地改变的电压电平。
17.根据权利要求10所述的半导体系统，其中，当所述漂移恢复操作完成时，所述非易失性存储器设备向所述存储控制器发送恢复完成信号。
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