[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子传输层，所述电子传输层与所述量子点发光层之间设置含有聚烯烃的材料层，所述聚烯烃相互交联形成网状结构。本发明提供的量子点发光二极管中，在电子传输层与量子点发光层之设置有一层特殊的材料层，该材料层可以减少器件阴极的电子注入速率、调节量子点颗粒的分布，使量子点发光层与电子传输层的界面得到优化，从而提高器件的效率和寿命。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点(QDs)材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注。量子点发光二极管色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，使得其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。

目前，QLED通常采用三明治结构，器件中包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极；其中，发光层即量子点发光层，是由一层纳米颗粒组成，目前存在的问题是：如果纳米颗粒浓度过低，无法形成一层致密的量子点层，即出现孔洞，会导致漏电流的发生；如果纳米颗粒浓度过高，会出现纳米颗粒的堆积，即有团簇生成，会导致Dexter能量转移(Dexter能量转移属于非辐射能量转移)，降低了器件的发光效率。因此，如何制备一层致密均匀的量子点发光层，是提高QLED发光效率的重要研究方向。另外，为了提高器件效率，使载流子在量子点发光层复合，目前常采用电子传输层来阻挡空穴和调整电子注入速率，但电子传输层与量子点发光层间容易出现界面缺陷，导致发生非辐射复合降低效率。

因此，现有技术有待改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有器件中量子点发光层不均匀、且与电子传输层之间存在界面缺陷，从而影响器件发光性能的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子传输层，所述电子传输层与所述量子点发光层之间设置含有聚烯烃的材料层，所述聚烯烃相互交联形成网状结构。

本发明提供的量子点发光二极管中，在电子传输层与量子点发光层之设置有一层特殊的材料层，该材料层中含有相互交联形成网络结构的聚烯烃，聚烯烃形成的网络结构一方面可以减少器件阴极的电子注入速率，从而平衡空穴电子的注入，抑制荧光猝灭，减少能量消耗使器件效率提高，另一方面可以调节量子点颗粒的分布，让量子点颗粒较均匀分布到网状结构的网孔中，从而抑制量子点团簇现象的出现，使量子点发光层均匀致密，减少漏电流；而且，由于量子点发光层均匀致密、成膜质量高，这样量子点发光层与电子传输层的界面得到优化，量子点在电子传输层表面覆盖率提高，使界面缺陷减少，界面稳定性提高，从而减弱了非辐射复合，从而进一步提高器件的效率和寿命。

本发明另一方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

所述量子点发光二极管为正置型器件时，

提供阳极基板；

在所述阳极基板上制备量子点发光层，然后在所述量子点发光层表面制备含有聚烯烃的材料层；或者，

所述量子点发光二极管为反置型器件时，

提供阴极基板；

在所述阴极基板上制备含有聚烯烃的材料层，然后在所述材料层的表面制备量子点发光层；

其中，所述聚烯烃相互交联形成网状结构。