[发明专利]电子装置和半导体封装结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构的制造方法，包括：

(a)提供载体，所述载体具有第一表面，并在所述第一表面上界定多个开口；

(b)形成导电材料于所述载体的所述开口中；

(c)形成布线结构于所述载体和所述导电材料上；

(d)电连接至少一个半导体裸片于所述布线结构；

(e)形成封装体以覆盖所述至少一个半导体裸片；和

(f)移除所述载体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(a)之后，所述方法另包括：

(a1)形成离型层于所述开口中和所述载体的所述第一表面上。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在步骤(f)之后，所述方法另包括：

(g)移除所述离型层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(b)中，所述导电材料是通过印刷或电镀形成。

5.根据权利要求4所述的方法，其中在步骤(a)之后，所述方法另包括：

(a1)形成晶种层于所述开口中和所述载体的所述第一表面上。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在步骤(f)之后，所述方法另包括：

(g)移除所述晶种层。

7.根据权利要求4所述的方法，其中在步骤(b)中，所述导电材料是通过印刷形成；且在步骤(b)之后，所述方法另包括：

(b1)形成晶种层于所述导电材料上和所述载体的所述第一表面上。

8.根据权利要求7所述的方法，其中步骤(c)包括：

(c1)形成绝缘层于所述晶种层上；

(c2)移除所述绝缘层的部分以形成多个开口，所述开口显露所述晶种层的部分；和

(c3)形成金属层于所述绝缘层的所述开口中和所述晶种层的所述显露部分上。

9.根据权利要求7所述的方法，其中在步骤(f)之后，所述方法另包括：

(g)移除所述晶种层不被所述导电材料覆盖的部分。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(a)中，所述载体的所述开口之间的间隙小于50μm，且所述开口的深宽比大于或等于1。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(b)之后，所述方法另包括：

(b1)设置实心核球于所述载体的所述开口中的所述导电材料中。

12.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(f)之后，所述方法另包括：

(g)回焊所述导电材料。

13.一种电子装置，包括：

绝缘层，其具有顶面和与所述顶面相对的底面，并且界定开口，所述开口延伸于所述顶面和所述底面之间；

金属层，其设置于所述绝缘层的所述开口中，并且具有顶面和与所述顶面相对的底面，其中所述金属层的所述底面与所述绝缘层的所述底面实质上共平面；和

至少一个电连接元件，其通过晶种层附接于所述金属层的所述底面。

14.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述晶种层凸设于所述金属层的所述底面。

15.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述电连接元件凸设于所述晶种层的底面和所述绝缘层的所述底面。

16.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述金属层的材料包含铜，所述电连接元件的材料包含银-锡合金，且所述晶种层的材料包含钛-钨合金。

17.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述电连接元件呈球状、矩形柱状或圆柱状。