[发明专利]一种钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，其特征在于所述制备方法先后采用磁控溅射法和阳极氧化技术，钼掺杂浓度通过溅射靶的钼、钛的原子浓度比来调节，纳米管尺寸和长度由阳极氧化技术控制；具体步骤如下：

（1）清洗基板；

（2）在清洗后的基板上使用磁控溅射法沉积MoTi合金膜；控制基板温度为室温~300℃；采用氩气，控制真空室内气压为0.1~2.5 Pa，溅射功率密度为1.7~177 kW/m²；

（3）将制备得到的MoTi合金膜在电解液中采用阳极氧化技术得到钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜；

（4）将钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜进行退火处理；退火处理条件是：在空气、氮气或惰性气体保护下退火，退火温度为400~700℃，退火时间为1~5 小时。

2.根据权利要求1 所述的钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述磁控溅射法中使用的靶材为嵌Mo的Ti靶或MoTi合金靶，Mo/Ti原子比为0.1~10%，纯度为99.9%，靶与基板的间距为50~75mm。

3.根据权利要求1所述的钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述阳极氧化技术所用电解液为HF电解液，氢氟酸质量百分比为0.1%~2%，阳极氧化时将MoTi合金膜放入电解池作为阳极，用石墨板作为阴极，直流电源为恒压电压10~40V，氧化时间为10~120 min。

4.根据权利要求1所述的钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述基板采用导电玻璃或金属板。

5.根据权利要求1所述的钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）所得钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜厚度为0.5~5μm。