[发明专利]钼掺杂非晶三氧化钨电致变色薄膜及其电化学沉积方法和应用在审
| 申请号： | 201810745016.3 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN108914183A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李效民;谢思杰;毕志杰;陈永博;高相东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C25D9/08 | 分类号： | C25D9/08 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及钼掺杂非晶三氧化钨电致变色薄膜及其电化学沉积方法和应用，所述钼掺杂非晶三氧化钨电致变色薄膜的成分为非晶态的钼掺杂三氧化钨；所述钼掺杂非晶三氧化钨电致变色薄膜中钨原子和钼原子的摩尔比为1:（0.001～0.2），优选为1:（0.01～0.1）。 | ||
| 搜索关键词： | 三氧化钨 钼掺杂 电致变色薄膜 非晶 电化学沉积 非晶态 摩尔比 钨原子 钼原子 优选 应用 | ||
【主权项】：
1.一种钼掺杂非晶三氧化钨电致变色薄膜，其特征在于，所述钼掺杂非晶三氧化钨电致变色薄膜的成分为非晶态的钼掺杂三氧化钨；所述钼掺杂非晶三氧化钨电致变色薄膜中钨原子和钼原子的摩尔比为1:（0.001～0.2），优选为1:（0.01～0.1）。
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- 2015-12-24 - 2018-11-16 - C25D9/08
- 本发明提供一种表面处理钢板(1)，其具备：在钢板(11)上实施镀锡而得到的镀锡钢板(10)、形成于前述镀锡钢板(10)上的含有磷酸锡的磷酸化合物层(20)、和形成于前述磷酸化合物层(20)上的以铝氧化合物为主要成分的铝氧化合物层(30)。
- 表面处理钢板、有机树脂覆盖的金属容器和表面处理钢板的制造方法-201480069019.X
- 黑川亘;弘津宗光;粟饭原光英;松川真彦;内川美和 - 东洋制罐株式会社;东洋钢钣株式会社
- 2014-12-05 - 2018-11-16 - C25D9/08
- 本发明涉及表面处理钢板和其制造方法，并且是具有形成在钢板的至少一个表面上的包含氟并且主要由锆和氧组成的表面处理层的表面处理钢板，其中由于第II族元素存在于所述表面处理层的表面侧上，因此可以提供具有优异的耐腐蚀性和对有机树脂覆盖层的密合性以及优异的对在罐外表面上的树脂的密合性和耐氟溶出性的金属容器。
- 一种基于卤素效应和陶瓷涂层提高钛基合金抗高温氧化性能的方法-201611102762.8
- 伍廉奎;吴伟耀;侯广亚;唐谊平;曹华珍;郑国渠 - 浙江工业大学
- 2016-12-05 - 2018-11-13 - C25D9/08
- 一种基于卤素效应和陶瓷涂层提高钛基合金抗高温氧化性能的方法，包括以下步骤：1)首先去除钛基合金基体的表面氧化物，然后清洗、干燥；2)按照摩尔比为(0.1‑5):(0.1‑3)：(0.1～1)将醋酸铵、氯化铵和前躯体氟硅酸盐与水混合，室温下搅拌2～48h，得到前躯体溶液；3)在三电极槽中加入配好的前躯体溶液，以钛基合金基体作为工作电极，铂片或石墨作为对电极，电极间距控制在1‑10cm，控制沉积电位为‑0.1V～‑5.0V进行电沉积，沉积时间为50s～3000s，水洗后于40～150℃烘干，在钛基合金表面得到含氟的微纳米SiO2涂层。本发明所获得的复合涂层与基体之间具有优异的结合力，能显著提高钛基合金在1000℃高温下的抗氧化性能。
- 化学转化处理钢板及化学转化处理钢板的制造方法-201680083802.0
- 谷贤明;平野茂;立木光;柳原伟男;河端诚;横矢博一 - 新日铁住金株式会社
- 2016-03-22 - 2018-11-09 - C25D9/08
- 本化学转化处理钢板具备钢板、形成于上述钢板的至少一个表面且含有Ni的镀层、和形成于上述镀层上的化学转化处理皮膜层，所述化学转化处理皮膜层含有以金属Zr量计为1.0～150mg/m2的Zr化合物、以P量计为1.0～100mg/m2的磷酸化合物和以金属Al量计为0.10～30.0mg/m2的Al化合物。上述镀层为包含以金属Ni量计为5.0～3000mg/m2的Ni的Ni镀层、或包含以金属Ni量计为2.0～200mg/m2的Ni和以金属Sn量计为0.10～10.0g/m2的Sn且在Fe‑Ni‑Sn合金层上形成有岛状Sn镀层的复合镀层。
- 具有紫外吸收峰的钛掺杂二硫化钼薄膜的制备方法-201810507715.4
- 傅宇东;宋扬;滕悦;卢熙群;张宝峰;孙焕政;王雪飞;李子峰 - 哈尔滨工程大学
- 2018-05-24 - 2018-10-12 - C25D9/08
- 本发明提供的是一种具有紫外吸收峰的钛掺杂二硫化钼薄膜的制备方法。以铂电极作为阳极、单晶硅片作为阴极、极距为2.5～3.5cm、工作方式为恒流状态、阴极表面电流密度为0.1～2.5mA/cm2，在电沉积液中进行电沉积，通过沉积时间控制MoS2薄膜厚度在50～1000nm范围内，所述电沉积液由硫化钠、钼酸钠、硫酸氧钛配制而成。本发明提供的方法能够用于制备具有特殊紫外吸收峰的钛掺杂二硫化钼薄膜，并且本发明提供的原料来源广泛，且成分稳定，能够满足生产中原料的需求，并且成本较低，应用前景广泛。
- 一种在柔性塑料基底上低温电沉积制备有序ZnO纳米棒的方法-201810578307.8
- 卢辉;马金福;马会军;穆晓彪;宁晓杰 - 北方民族大学
- 2018-06-05 - 2018-09-28 - C25D9/08
- 本发明的目的，提供一种利用简单、低温、直接的电沉积手段，在负载有ITO导电膜的柔性塑料衬底上制备一维有序的ZnO纳米棒阵列的方法。包括以下步骤：采用柔性PET/ITO基底为工作电极，Pt丝电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，构建三电极体系；将三电极体系置于电解杯中，电解杯中填充浓度为0.0001mol/L～0.001mol/L的Zn(CH3COO)2水溶液，并添加0.1M的KCl增强溶液导电性；将电解杯放于50～80℃的恒温水浴锅中，并向其内提前通入流量为10～20mL/min的O2以保证电解液氧含量饱和直至反应结束，沉积过程采用恒电位阴极沉积法，电极两端施加‑0.9～‑1.2V并反应30min～60min即可得到均匀的ZnO纳米棒阵列薄膜。利用本发明可以在柔性PET/ITO基底上低温可控制备得到ZnO纳米棒阵列薄膜，作为柔性光电子器件材料。
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