[发明专利]倒角加工方法

说明书

提供倒角加工方法，能够高效地对晶片的外周实施倒角加工。倒角加工方法至少包含如下的工序：粗加工工序，将激光光线(LB)的聚光点定位于晶片(2)的外周而照射激光光线(LB)，通过烧蚀而粗略地实施倒角加工；以及精加工工序，利用磨削磨具(30)对烧蚀加工后的晶片(2)的外周进行磨削而实施精加工。

技术领域

本发明涉及对晶片的外周进行倒角的倒角加工方法。

背景技术

IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al₂O₃(蓝宝石)等为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由分割预定线进行划分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以SiC(碳化硅)为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由分割预定线进行划分而形成的。形成有器件的晶片通过切削装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件，分割得到的各器件被用于移动电话或个人计算机等电子设备。

供器件形成的晶片通常是利用线切割机将圆柱形状的锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的正面和背面通过研磨而精加工成镜面(例如，参照专利文献1)。但是，当利用线切割机将锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时，锭的大部分(70％～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是SiC锭，其硬度高，难以利用线切割机切断，需要花费相当长的时间，因此生产率差，并且锭的单价高，在高效地生成晶片方面具有课题。

因此，本申请人提出了下述技术：将对于SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于SiC锭的内部而对SiC锭照射激光光线，在切断预定面形成分离层，沿着形成有分离层的切断预定面将晶片从SiC锭分离(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2000-94221号公报

专利文献2：日本特开2016-111143号公报

但是，存在如下的问题：当磨削磨具与晶片的外周抵接而实施倒角加工时，会花费相当长的时间，生产率较差。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其目的在于提供倒角加工方法，能够高效地对晶片的外周实施倒角加工。

为了解决上述课题，本发明提供以下的倒角加工方法。即，一种倒角加工方法，对晶片的外周进行倒角，其中，该倒角加工方法至少包含如下的工序：粗加工工序，将激光光线的聚光点定位于晶片的外周而照射激光光线，通过烧蚀而粗略地实施倒角加工；以及精加工工序，利用磨削磨具对烧蚀加工后的晶片的外周进行磨削而实施精加工。

优选该粗加工工序包含：第一粗加工工序，从晶片的第一面侧将激光光线的聚光点定位于晶片的外周而照射激光光线，通过烧蚀而粗略地实施倒角加工；以及第二粗加工工序，从晶片的第二面侧将激光光线的聚光点定位于晶片的外周而照射激光光线，通过烧蚀而粗略地实施倒角加工，该精加工工序包含：第一精加工工序，利用磨削磨具从晶片的第一面侧对晶片的外周进行磨削而实施精加工；以及第二精加工工序，利用磨削磨具从晶片的第二面侧对晶片的外周进行磨削而实施精加工。晶片可以是SiC晶片。

本发明所提供的倒角加工方法至少包含如下的工序：粗加工工序，将激光光线的聚光点定位于晶片的外周而照射激光光线，通过烧蚀而粗略地实施倒角加工；以及精加工工序，利用磨削磨具对烧蚀加工后的晶片的外周进行磨削而实施精加工，因此，能够高效地对晶片的外周实施倒角加工。

附图说明

图1的(a)是示出使第一面朝上而将晶片载置于激光加工装置的卡盘工作台上的状态的立体图，图1的(b)是示出实施第一粗加工工序的状态的立体图，图1的(c)是实施了第一粗加工工序的晶片的剖视图。

图2的(a)是示出使第二面朝上而将晶片载置于激光加工装置的卡盘工作台上的状态的立体图，图2的(b)是示出实施第二粗加工工序的状态的立体图，图2的(c)是实施了第二粗加工工序的晶片的剖视图。