[发明专利]倒角加工方法在审
| 申请号： | 201910449323.1 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110571131A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 平田和也 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒角加工 晶片 外周 烧蚀 照射激光光线 精加工工序 激光光线 磨削磨具 聚光点 精加工 磨削 加工 | ||
【权利要求书】：
1.一种倒角加工方法，对晶片的外周进行倒角，其中，
该倒角加工方法至少包含如下的工序：
粗加工工序，将激光光线的聚光点定位于晶片的外周而照射激光光线，通过烧蚀而粗略地实施倒角加工；以及
精加工工序，利用磨削磨具对烧蚀加工后的晶片的外周进行磨削而实施精加工。
2.根据权利要求1所述的倒角加工方法，其中，
该粗加工工序包含：
第一粗加工工序，从晶片的第一面侧将激光光线的聚光点定位于晶片的外周而照射激光光线，通过烧蚀而粗略地实施倒角加工；以及
第二粗加工工序，从晶片的第二面侧将激光光线的聚光点定位于晶片的外周而照射激光光线，通过烧蚀而粗略地实施倒角加工，
该精加工工序包含：
第一精加工工序，利用磨削磨具从晶片的第一面侧对晶片的外周进行磨削而实施精加工；以及
第二精加工工序，利用磨削磨具从晶片的第二面侧对晶片的外周进行磨削而实施精加工。
3.根据权利要求1或2所述的倒角加工方法，其中，
所述晶片是SiC晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
