[发明专利]连接件结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成连接件结构的方法，包括：

在工件上形成第一图案化的钝化层，所述第一图案化的钝化层具有暴露所述工件的导电部件的第一开口；

在所述第一图案化的钝化层上方及所述第一开口中形成晶种层；

在所述晶种层上方形成图案化的掩模层，所述图案化的掩模层具有暴露所述晶种层的第二开口，所述第二开口与所述第一开口重叠；

在所述第二开口中形成连接件；

部分地去除所述图案化的掩模层，所述图案化的掩模层的未去除的部分保留在所述第一开口中；以及

使用所述图案化的掩模层的所述未去除的部分作为掩模来图案化所述晶种层，其中，在图案化所述晶种层期间，所述未去除的部分覆盖在所述晶种层上。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括去除所述图案化的掩模层的所述未去除的部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述图案化的掩模层的所述未去除的部分的宽度大于所述连接件的宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括使用所述连接件将离散器件接合至所述工件。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案化的掩模层的位于所述第一开口中的厚度大于所述图案化的掩模层的位于所述第一图案化的钝化层上方的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一图案化的钝化层上方及沿着所述第一开口的底部和侧壁形成保护层；以及

在所述保护层上方形成第二图案化的钝化层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，部分地去除所述图案化的掩模层包括暴露沉积在所述第一图案化的钝化层上方的所述晶种层的部分。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括使用所述连接件将离散器件接合至所述工件。

9.一种形成连接件结构的方法，包括：

在工件上沉积具有第一开口的第一图案化的钝化层，所述第一开口暴露所述工件的导电部件；

在所述第一图案化的钝化层上方以及沿着所述第一开口的底部和侧壁沉积保护层；

在所述第一图案化的钝化层上方沉积具有第二开口的第二图案化的钝化层，所述第二开口暴露所述第一开口，所述第二开口和所述第一开口形成组合的开口；

在所述第二图案化的钝化层上方以及所述组合的开口中沉积晶种层；

在所述第二图案化的钝化层上方以及所述组合的开口中沉积具有第三开口的图案化的掩模层，所述第三开口暴露所述晶种层，所述第三开口位于所述组合的开口内；

在所述第三开口中沉积导电材料以在所述第三开口中形成连接件；

蚀刻所述图案化的掩模层直到暴露所述晶种层的最高表面，位于所述组合的开口中的所述晶种层的至少部分被所述图案化的掩模层的剩余部分保护；

使用所述图案化的掩模层的所述剩余部分作为蚀刻掩模来蚀刻所述晶种层的暴露部分，其中，在蚀刻所述晶种层期间，所述剩余部分覆盖在所述晶种层上；以及

蚀刻所述图案化的掩模层的所述剩余部分。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述图案化的掩模层具有不均匀的厚度。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述晶种层的未蚀刻的部分的宽度大于所述连接件的宽度。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述图案化的掩模层的所述剩余部分的宽度大于所述晶种层的未蚀刻的部分的宽度。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述连接件的高度大于所述图案化的掩模层的所述剩余部分的厚度。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，蚀刻所述晶种层的所述暴露部分还包括在所述图案化的掩模层的所述剩余部分和所述导电部件之间形成底切。