[发明专利]金属结构、器件和方法在审
| 申请号： | 201910423104.6 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110634836A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | D.J.齐拉思;M.麦克斯温尼;J.法默;A.S.乔杜里 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙鹏;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属结构 化学气相沉积 前体材料 镍合金 钴合金 痕量 | ||
1.一种金属结构，包括：
A或B；以及
碳、氮、氧、磷、卤素或氢中的一个或多个；
其中A包括：
b重量百分比的Co；
q重量百分比的Q；以及
z重量百分比的Z；
其中b、q和z的总和等于100%；b在50%和99.99%之间，q在0.01%和50%之间；z在0%和49.9%之间；当z为0%时，Q选自Ni、Al、Mn、Si、Cr、V、Mo、Nb、Ta、W或Zr；当z不是0%时，Q选自Ni、Al、Mn、Si、Cr、V、Nb或Ta；并且Z选自Mo或W；
其中B包括：
d重量百分比的Ni；
e重量百分比的X；以及
f重量百分比的G；
其中d、e和f的总和等于100%；d在50%和100%之间，e在0%和50%之间，f在0%和49.99%之间；当f为0%的时候，X选自 Co、Al、Mn、Si、Cr、V、Mo、Nb、Ta或W；当f不是0%的时候，X选自Co、Al、Mn、Si、Cr、V、Nb或Ta；并且G选自Mo或W。
2.根据权利要求1所述的金属结构，其中所述金属结构包括A。
3.根据权利要求1所述的金属结构，其中所述金属结构包括B。
4.根据权利要求1所述的金属结构，其中所述金属结构包括碳。
5.根据权利要求1所述的金属结构，其中所述金属结构包括氮。
6.根据权利要求1所述的金属结构，其中所述金属结构包括磷。
7.根据权利要求1所述的金属结构，其中所述金属结构包括卤素。
8.根据权利要求1所述的金属结构，其中所述金属结构包括氢。
9.根据权利要求1所述的金属结构，其中所述金属结构是晶体管栅极。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的金属结构，其中所述金属结构是金属互连。
11.根据权利要求1-9中任一项所述的金属结构，其中所述金属结构被包括在集成电路（IC）管芯中。
12.根据权利要求1-9中任一项所述的金属结构，其中所述金属结构被包括在封装衬底中。
13.根据权利要求1-9中任一项所述的金属结构，其中所述金属结构包括种子层、填充材料或帽盖，并且A或B存在于种子层、填充材料或帽盖中的至少一个中。
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