[发明专利]显示面板及显示装置在审
申请号: | 201910422043.1 | 申请日: | 2019-05-21 |
公开(公告)号: | CN110233166A | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 查国伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透光显示 显示面板 基板 有机电致发光元件 被动驱动 电路阵列 驱动电路 主显示区 无源 电致发光元件 有机发光元件 低电压源 高电压源 驱动显示 显示装置 有机发光 搭配 包围 驱动 | ||
本发明提供了一种显示面板,包括主显示区以及透光显示区,所述主显示区包围所述透光显示区;所述显示面板包括:基板;有机发光元件阵列,包括多个有机电致发光元件,设于所述基板上;驱动电路阵列设于所述基板上,适于高电压源以及低电压源搭配,用以驱动每个有机发光电致发光元件;其中,在所述透光显示区,所述驱动电路阵列包括无源被动驱动电路阵列;所述无源被动驱动电路阵列用以对所述透光显示区的有机电致发光元件进行驱动显示。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其是涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
在中小尺寸显示领域,全面屏技术成为当前的重点研发方向,也即如何通过相关技术的开发实现人机交互界面的屏占比最大化。第一代全面屏技术主要集中于屏幕尺寸比例由16:9变化为18:9甚至更大;第二代全面屏就则是进一步地压缩屏幕上下左右的边界,甚至采用柔性折叠技术最大化可视面积。而近期全面屏的另一个研究方向则是如何将显示终端的指纹识别、摄像头、面部识别、距离传感等传感器进一步地融合进显示屏的显示区,使得显示屏从单纯的显示界面逐渐过渡到全面的感知、交互界面。
目前主流的显示技术包括液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED),其中LCD为被动发光技术,通过整面背光结构照射液晶盒实现光纤的亮暗控制,而OLED技术则是采用逐颗的OLED像素主动发光,相较而言OLED具有高对比、轻薄、可弯曲、可折叠等优势。另一方面,基于OLED无法背光的特性,可以很好的与现行的光学指纹识别模组兼容,因而面内光学指纹识别成为目前OLED的“独有优势”,同时业界也在开发基于OLED的屏下摄像头方案,从而可以进一步在显示模式和摄像模式间切换并且无需现行LCD挖孔方案所造成的挖孔区无法显示等优势。
但是通常屏下成像需要更高的像素密度,因而传感器单个感光单元较小且对于OLED基板穿透率具有较高的要求,这一点与指纹识别仅需要通过OLED子像素间透光就能满足成像需求有所不同。目前现行的OLED就是通过有源驱动(AM)方式驱动的,其中AM主动阵列驱动的优势在于能够兼容更高分辨率的驱动,但是劣势在于需要较多的薄膜晶体管(TFT)进行电性的连接,最基本的驱动架构为2T1C,而现行消费级的产品应用更是采用7T1C的架构,其中多个TFT架构构成了极大的开口占用,使得OLED显示难以实现高透光率设计,因而难以与屏下摄像方案做很好的兼容。
因此,有必要提出一种新的显示面板及显示装置,解决了现有技术中OLED摄像区的透光率低的问题,减小多个TFT架构构成了开口占用,实现真正的全面屏技术。
发明内容
本发明目的在于,提供一种显示面板及显示装置,所述显示面板具有主显示区与透光显示区,其中所述主显示区占据大部分面积,并采用相同的有源主动阵列电路驱动,所述透光显示区采用无源被动阵列电路驱动,在所述透光显示区的非金属走线区域以及发光层均为高透过率设计,所以所述透光显示区具有较低的像素密度,从而保证更高的透光率。
为了达到上述目的,本发明提供一种显示面板,包括主显示区以及透光显示区;所述显示面板包括:基板;驱动电路阵列,设于所述基板的一侧;有机电致发光元件阵列,包括多个有机电致发光元件,设于所述驱动电路阵列的远离所述基板的一侧;所述驱动电路阵列在所述透光显示区对应处设有无源被动驱动电路阵列,所述无源被动驱动电路阵列用于对所述透光显示区对应的所述有机电致发光元件进行驱动显示。
进一步地,所述无源被动驱动电路阵列包括:多条沿第一方向设置的第一数据线,和多条沿第二方向设置的第一扫描线,所述第一方向与所述第二方向不平行,在所述第一数据线与所述第一扫描线的交叉处,每一有机电致发光元件分别电耦合至所述第一数据线与所述第一扫描线。
进一步地,在所述主显示区,所述驱动电路阵列包括有源主动驱动电路阵列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的