[发明专利]清洁液循环利用的清洗系统及方法在审
申请号: | 201910409822.8 | 申请日: | 2019-05-16 |
公开(公告)号: | CN111940409A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 胡自立 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | B08B3/14 | 分类号: | B08B3/14;H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洁 循环 利用 清洗 系统 方法 | ||
本发明实施例涉及清洗技术领域,公开了一种清洁液循环利用的清洗系统及方法,所述清洁液循环利用的清洗系统包括:用于放置清洗物的清洁腔室,与所述清洁腔室连通的废液循环处理装置,分别与所述清洁腔室及所述废液循环处理装置连通的清洁液配置装置;所述废液循环处理装置用于回收所述清洁腔室中流出的废液、并将所述废液加工成满足预设要求的待配置清洁液;所述清洁液配置装置用于将所述待配置清洁液配置成待使用清洁液;所述清洁腔室用于使用所述待使用清洁液以清洗待清洗物。本发明提供的清洁液循环利用的清洗系统及方法能够循环利用清洁液,降低清洗成本。
技术领域
本发明实施例涉及清洗技术领域,特别涉及一种清洁液循环利用的清洗系统及方法。
背景技术
在半导体晶片制造过程中,半导体晶片表面会附着各种有机化合物、金属杂质和微粒等,而半导体晶片表面的清洁度是影响半导体晶片可靠性的重要因素之一,如果不对其清洗会大大降低半导体晶片的性能和合格率,所以在半导体晶片制造过程中,有20%的步骤为对半导体晶片的清洗,去除依附于半导体晶片表面上的有机化合物、金属杂质和微粒等污染物,提高半导体器件的性能和合格率。
现有技术中通常利用单晶片清洗台,并使用SPM清洁溶液对半导体晶片执行湿法刻蚀,SPM清洁溶液包括硫酸和双氧水,其能够去除半导体晶片上的光刻胶残留物。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种清洁液循环利用的清洗系统及方法,其能够循环利用清洁液,降低清洗成本。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种清洁液循环利用的清洗系统,包括:
用于放置清洗物的清洁腔室,与所述清洁腔室连通的废液循环处理装置,分别与所述清洁腔室及所述废液循环处理装置连通的清洁液配置装置;所述废液循环处理装置用于回收所述清洁腔室中流出的废液、并将所述废液加工成满足预设要求的待配置清洁液;所述清洁液配置装置用于将所述待配置清洁液配置成待使用清洁液;所述清洁腔室用于使用所述待使用清洁液以清洗待清洗物。
本发明的实施方式还提供了一种清洁液循环利用的清洗方法,包括:获取清洗过待清洗物的废液;将所述废液加工成满足预设要求的待配置清洁液;将所述待配置清洁液配置成待使用清洁液;利用所述待使用清洁液清洗所述待清洗物。
本发明的实施方式相对于现有技术而言,通过设置与清洁腔室连通的废液循环处理装置,使得清洁腔室中流出的废液不会直接排出,而是会流入废液循环处理装置中,并在废液循环处理装置的加工下变成满足预设要求的待配置清洁液;通过设置清洁液配置装置,从而能够将待配置清洁液与清洁液配置装置中的溶液配置以形成待使用清洁液,又由于清洁液配置装置与清洁腔室连通,因此,在清洁液配置装置中配置好的待使用清洁液能够流入清洁腔室中,以使清洁腔室使用待使用清洁液清洗待清洗物,从而实现了清洁液的循环利用,降低了清洗成本,避免了“清洗待清洗物的废液直接排出,使得待清洗物的整个清洗过程需要消耗大量的清洁液,从而导致清洗成本较高”的情况的发生。
另外,还包括中央控制装置,所述中央控制装置分别与所述清洁腔室、所述废液循环处理装置、所述清洁液配置装置通信连接,用于控制所述清洁腔室、所述废液循环处理装置以及所述清洁液配置装置。通过此种方式,使得清洁液循环利用的清洗系统能够在中央控制装置的控制下自动完成各个装置的操作,从而使得清洁液循环利用的清洗系统更加智能化、自动化。
另外,所述废液循环处理装置包括依次连通的废液收集单元、水分去除单元、第一杂质过滤单元、温控单元以及待配置清洁液收集单元,所述废液收集单元用于收集所述清洁腔室中流出的废液,所述水分去除单元用于去除所述废液中的水分,所述第一杂质过滤单元用于过滤去除水分后的废液中的杂质,所述温控单元用于将去除杂质后的废液加热至第一预设温度,所述待配置清洁液收集单元用于收集所述待配置清洁液。
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