[发明专利]在基板的突出部上包括接触部的垂直FET器件

权利要求书

1.一种垂直场效应晶体管VFET器件，包括：

基板，所述基板包括多个竖直突出部；

多个隔离区域，交替布置在所述多个竖直突出部之间；

所述多个竖直突出部的顶面和侧壁上的多个硅化物区域；以及

所述多个竖直突出部的顶面和侧壁上的所述多个硅化物区域上的接触部。

2.根据权利要求1所述的VFET器件，其中，所述接触部包括分别朝向所述多个隔离区域突出的多个部分。

3.根据权利要求2所述的VFET器件，其中，所述接触部的所述多个部分的侧壁与所述多个硅化物区域物理接触。

4.根据权利要求1所述的VFET器件，

其中，所述接触部连续延伸跨过所述多个竖直突出部中的至少三个和所述多个隔离区域中的至少两个，以及

其中，所述多个竖直突出部的侧壁包括面向所述接触部的至少四个侧壁。

5.根据权利要求1所述的VFET器件，还包括：

多个鳍形半导体结构，分别从所述多个竖直突出部竖直突出；以及

多个上部源/漏区，分别位于所述多个鳍形半导体结构的顶面，

其中，所述接触部与所述多个鳍形半导体结构和所述多个上部源/漏区横向间隔开。

6.根据权利要求5所述的VFET器件，还包括多个下部源/漏区，位于所述多个鳍形半导体结构和所述多个竖直突出部之间。

7.根据权利要求1所述的VFET器件，

其中，所述多个竖直突出部包括所述基板的多个第一竖直突出部，

其中，所述VFET器件还包括所述基板的多个第二竖直突出部，以及

其中，所述多个第二竖直突出部上没有所述接触部。

8.一种垂直场效应晶体管VFET器件，包括：

基板，包括第一竖直突出部、第二竖直突出部和第三竖直突出部；

第一隔离区域，位于第一竖直突出部和第二竖直突出部之间；

第二隔离区域，位于第二竖直突出部和第三竖直突出部之间；

以及

接触部，位于第一竖直突出部、第二竖直突出部和第三竖直突出部的相应顶面和相应侧壁上。

9.根据权利要求8所述的VFET器件，还包括硅化物区域，位于第一竖直突出部、第二竖直突出部和第三竖直突出部的顶面和侧壁上，

其中，所述硅化物区域位于所述接触部与第一竖直突出部、第二竖直突出部和第三竖直突出部之间。

10.根据权利要求9所述的VFET器件，其中，所述接触部包括与所述硅化物区域的位于第一竖直突出部、第二竖直突出部和第三竖直突出部的侧壁上的部分物理接触的部分。

11.根据权利要求10所述的VFET器件，

其中，第一隔离区域和第二隔离区域位于第一竖直突出部、第二竖直突出部和第三竖直突出部的下部之间，

其中，所述接触部的所述部分包括分别朝向第一隔离区域和第二隔离区域突出的第一部分和第二部分，

其中，所述接触部的第一部分位于第一竖直突出部的上部和第二竖直突出部的上部之间，以及

其中，所述接触部的第二部分位于第二竖直突出部的上部和第三竖直突出部的上部之间。

12.根据权利要求8所述的VFET器件，其中，所述接触部从第一竖直突出部的顶面连续延伸到第二竖直突出部的顶面和第三竖直突出部的顶面。