[发明专利]竖直存储器件

权利要求书

1.一种竖直存储器件，包括：

栅线结构，其包括第一栅线和第二栅线，所述第一栅线和所述第二栅线顺序层叠在衬底上并在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸；以及

竖直沟道结构，其构造为在垂直于所述衬底的顶表面的方向上穿透所述栅线结构，

其中，所述栅线结构包括其中形成有所述竖直沟道结构的单元区以及沿所述第一方向分别布置在所述单元区的第一端和第二端的第一连接区和第二连接区，

所述第一连接区和第二连接区中的每一个包括所述第一栅线的第一突起和所述第二栅线的第二突起，所述第一栅线的第一突起和所述第二栅线的第二突起平行于所述衬底的顶表面并且在垂直于所述第一方向的第二方向上布置为台阶，并且

所述第二连接区的第一突起和所述第一连接区的第一突起关于所述第一方向对角地布置。

2.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中，所述第一连接区的第一突起和第二突起和所述第二连接区的第一突起和第二突起关于所述单元区的中心点对称地布置。

3.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中，所述第一连接区的第一突起和第二突起和所述第二连接区的第一突起和第二突起不对称地布置。

4.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中，所述栅线结构还包括第三栅线，所述第三栅线层叠在所述第二栅线上并且在与所述衬底的顶表面平行的所述第一方向上延伸，其中，所述第一连接区和所述第二连接区中的每一个包括所述第三栅线的第三突起，所述第三突起与所述第一突起和所述第二突起在所述第二方向上布置为台阶，并且所述第二连接区的第三突起与所述第一连接区的第三突起关于所述第一方向对角地布置。

5.根据权利要求4所述的竖直存储器件，其中，在第一连接区中，所述第一突起、所述第二突起和所述第三突起在所述第二方向上顺序布置。

6.根据权利要求4所述的竖直存储器件，其中，在第一连接区中，所述第一突起、所述第三突起和所述第二突起在所述第二方向上顺序布置。

7.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中，所述第一连接区的第一突起和所述第二连接区的第一突起关于所述单元区的平行于所述第一方向的中心线布置在相对的区中。

8.根据权利要求7所述的竖直存储器件，还包括沿所述中心线延伸的字线切割区，其中，所述栅线结构包括由所述字线切割区分开的第一子栅线结构和第二子栅线结构。

9.一种竖直存储器件，包括：

栅线结构，其包括多条栅线，所述多条栅线顺序层叠在衬底上并在第一方向上平行于所述衬底的顶表面延伸；以及

竖直沟道结构，其构造为在垂直于所述衬底的顶表面的方向上穿透所述栅线结构，

其中，所述栅线结构包括：其中形成有所述竖直沟道结构的单元区，以及沿所述第一方向分别布置在所述单元区的第一端和第二端的第一连接区和第二连接区，

所述第一连接区和第二连接区中的每一个包括所述多条栅线的多个突起，所述多个突起在所述第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上布置为台阶，并且

所述第一连接区的所述多个突起中的每一个沿所述第一方向平行于所述第二连接区的所述多个突起之中位于所述多条栅线的不同层上的突起布置。

10.根据权利要求9所述的竖直存储器件，其中，所述第一连接区的所述多个突起与所述第二连接区的所述多个突起关于所述单元区的中心点对称地布置。

11.根据权利要求9所述的竖直存储器件，其中，所述第一连接区的所述多个突起被布置为沿所述第二方向高度减小的台阶。